公开(公告)号：CN109427571A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711341333.0

申请日：2017-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁家铭 ,  莫亦先 ,  邱怀贤 ,  张启新 ,  黄仁安 ,  李依叡

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/10

Abstract: 本文公开了具有优化的鳍临界尺寸负载的集成电路器件。示例性集成电路器件包括包含第一多鳍结构的核心区域和包含第二多鳍结构的输入/输出区域。第一多鳍结构具有第一宽度并且第二多鳍结构具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。在一些实施方式中，第一多鳍结构具有第一鳍间隔并且第二多鳍结构具有第二鳍间隔。第一鳍间隔小于第二鳍间隔。在一些实施方式中，第一多鳍结构的第一邻近鳍间距大于或等于三倍的最小鳍间距，并且第二多鳍结构的第二邻近鳍间距小于或等于两倍的最小鳍间距。本发明的实施例还涉及鳍临界尺寸负载优化。

公开(公告)号：CN103178012B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210115586.7

申请日：2012-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟升镇 ,  朱鸣 ,  庄学理 ,  杨宝如 ,  吴伟成 ,  梁家铭 ,  吴欣桦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种方法包括形成PMOS器件。该方法包括：在半导体衬底的上方和PMOS区中形成栅极介电层；在栅极介电层的上方和PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对PMOS区的第一含金属层实施处理；并且在第一含金属层的上方和PMOS区中形成第二含金属层。第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数。第一含金属层和第二含金属层形成PMOS器件的栅极。本发明还提供一种具有金属栅极的CMOS器件。

公开(公告)号：CN119947226A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510043571.1

申请日：2025-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈品均 ,  卢仁祥 ,  梁家铭 ,  赖高廷 ,  廖忠志

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括：在衬底上方形成包括与多个牺牲层交错的多个沟道层的鳍形有源区域；去除鳍形有源区域的源极/漏极区域以形成源极/漏极开口；在源极/漏极开口中形成源极/漏极部件；选择性去除多个牺牲层以形成多个栅极开口；以及在多个栅极开口中形成栅极结构，其中，栅极结构包括形成在多个栅极开口的第一栅极开口中的第一部分和形成在多个栅极开口的第二栅极开口中的第二部分，第一部分的栅极长度与第二部分的栅极长度不同。

公开(公告)号：CN109427571B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201711341333.0

申请日：2017-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁家铭 ,  莫亦先 ,  邱怀贤 ,  张启新 ,  黄仁安 ,  李依叡

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/10

Abstract: 本文公开了具有优化的鳍临界尺寸负载的集成电路器件。示例性集成电路器件包括包含第一多鳍结构的核心区域和包含第二多鳍结构的输入/输出区域。第一多鳍结构具有第一宽度并且第二多鳍结构具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。在一些实施方式中，第一多鳍结构具有第一鳍间隔并且第二多鳍结构具有第二鳍间隔。第一鳍间隔小于第二鳍间隔。在一些实施方式中，第一多鳍结构的第一邻近鳍间距大于或等于三倍的最小鳍间距，并且第二多鳍结构的第二邻近鳍间距小于或等于两倍的最小鳍间距。本发明的实施例还涉及鳍临界尺寸负载优化。

公开(公告)号：CN103178012A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210115586.7

申请日：2012-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟升镇 ,  朱鸣 ,  庄学理 ,  杨宝如 ,  吴伟成 ,  梁家铭 ,  吴欣桦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种方法包括形成PMOS器件。该方法包括：在半导体衬底的上方和PMOS区中形成栅极介电层；在栅极介电层的上方和PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对PMOS区的第一含金属层实施处理；并且在第一含金属层的上方和PMOS区中形成第二含金属层。第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数。第一含金属层和第二含金属层形成PMOS器件的栅极。本发明还提供一种具有金属栅极的CMOS器件。

公开(公告)号：CN222366547U

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202420548873.5

申请日：2024-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨鈤笙 ,  殷立炜 ,  林育贤 ,  潘姿文 ,  赵士傑 ,  梁家铭 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H10D64/27 ,  H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体结构，包含主动区域以及导体栅极。导体栅极覆盖于主动区域，其中导体栅极包含塞以及衬垫。塞具有上表面，上表面具有W型轮廓并定义了最低点。衬垫覆盖于上表面，其中衬垫沿着具有栅极界面区域的栅极界面接触塞，其中塞在上表面的最低点的水平剖面具有塞剖面区域，且其中栅极界面区域大于塞剖面区域。

公开(公告)号：CN220895510U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322483844.3

申请日：2023-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  潘姿文 ,  林育贤 ,  杨鈤笙 ,  赵士傑 ,  梁家铭 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体结构包含一主动区、一栅极材料层及一衬里。栅极材料层位于主动区且具有一凹入表面，其中凹入表面包括一第一边缘处的一第一角状物、一第二边缘处的一第二角状物及位于第一角状物与第二角状物之间的一谷。衬里覆盖该栅极材料层的该第一角状物、该第二角状物及该谷上方。

公开(公告)号：CN221551887U

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202322288294.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  潘姿文 ,  林育贤 ,  汪于仕 ,  林益安 ,  梁家铭 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包含半导体鳍片。半导体装置包含于半导体鳍片上的多个第一分隔物。半导体装置包含于半导体鳍片上的金属栅极结构，其至少被多个第一分隔物夹在中间。半导体装置包含接触金属栅极结构的栅极电极。金属栅极结构和栅极电极之间的界面具有以第一距离向半导体鳍片延伸的侧边部分和以第二距离向半导体鳍片延伸的中央部分，第一距离实质上小于第二距离。