公开(公告)号：CN102237274B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010530391.X

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许凯钧 ,  杜友伦 ,  王从建 ,  许慈轩 ,  王俊智

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。

公开(公告)号：CN103247641A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210193471.X

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王从建 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  G01B11/14 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 用于减少条纹图案的方法包括从经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的背面接收散射光信号；基于该散射光信号生成背面图像；确定经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的传感器阵列的边缘和相邻的激光束边界之间的距离；以及如果该距离小于预定值，重新校准激光束。本发明还提供用于减少条纹图案的装置。

公开(公告)号：CN103247641B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210193471.X

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王从建 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  G01B11/14 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 用于减少条纹图案的方法包括从经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的背面接收散射光信号；基于该散射光信号生成背面图像；确定经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的传感器阵列的边缘和相邻的激光束边界之间的距离；以及如果该距离小于预定值，重新校准激光束。本发明还提供用于减少条纹图案的装置。

公开(公告)号：CN101330003B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200810085960.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  李正德 ,  王从建 ,  林杏莲 ,  王郁仁 ,  杜友伦 ,  徐晨祐 ,  刘源鸿 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄 ,  张舒雯 ,  陈佳麟 ,  蔡明志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。

公开(公告)号：CN102237383B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201010535484.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  杜友伦 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  王从建

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明实施例提供一种图像感测元件及其制作方法，该元件包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一光线感测元件，形成于该基底中，该光线感测元件用以检测通过该背侧进入该基底的一光波；以及一再结晶硅层，形成于该基底的该背侧上，该再结晶硅层具有与该基底的光激发荧光强度不同的光激发荧光强度。本发明可减少暗电流及白像素。

公开(公告)号：CN102237383A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010535484.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  杜友伦 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  王从建

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明实施例提供一种图像感测元件及其制作方法，该元件包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一光线感测元件，形成于该基底中，该光线感测元件用以检测通过该背侧进入该基底的一光波；以及一再结晶硅层，形成于该基底的该背侧上，该再结晶硅层具有与该基底的光激发荧光强度不同的光激发荧光强度。本发明可减少暗电流及白像素。

公开(公告)号：CN102237274A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010530391.X

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许凯钧 ,  杜友伦 ,  王从建 ,  许慈轩 ,  王俊智

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。

公开(公告)号：CN101330003A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810085960.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  李正德 ,  王从建 ,  林杏莲 ,  王郁仁 ,  杜友伦 ,  徐晨祐 ,  刘源鸿 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄 ,  张舒雯 ,  陈佳麟 ,  蔡明志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。