-
公开(公告)号：CN106611755A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610768323.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及具有接合焊盘的集成电路，该焊盘具有减轻对下部各层损伤的相对平坦的表面形貌。在一些实施例中，集成电路具有在衬底上方的介电结构内的多个金属互连层。钝化结构布置在半导体衬底上方。所述钝化结构具有凹槽，该凹槽具有连接所述钝化结构的水平面到所述钝化结构的上表面的侧壁。接合焊盘布置在凹槽内，并且具有覆盖水平面的下表面。一个或多个突起从所述下表面向外延伸穿过所述钝化结构的开口，以接触金属互连层中的一个。将接合焊盘布置在所述凹槽内和所述钝化结构的上方减小了接合过程中对下方各层的应力而不会对在衬底内的图像感测元件的效率有负面影响。本发明的实施例还提供了一种形成接合焊盘的方法。
-
公开(公告)号：CN106611755B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610768323.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及具有接合焊盘的集成电路，该焊盘具有减轻对下部各层损伤的相对平坦的表面形貌。在一些实施例中，集成电路具有在衬底上方的介电结构内的多个金属互连层。钝化结构布置在半导体衬底上方。所述钝化结构具有凹槽，该凹槽具有连接所述钝化结构的水平面到所述钝化结构的上表面的侧壁。接合焊盘布置在凹槽内，并且具有覆盖水平面的下表面。一个或多个突起从所述下表面向外延伸穿过所述钝化结构的开口，以接触金属互连层中的一个。将接合焊盘布置在所述凹槽内和所述钝化结构的上方减小了接合过程中对下方各层的应力而不会对在衬底内的图像感测元件的效率有负面影响。本发明的实施例还提供了一种形成接合焊盘的方法。
-
公开(公告)号：CN102237274A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010530391.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L21/268 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。
-
公开(公告)号：CN116564983A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310231796.0
申请日：2023-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构的侧壁的上部部分。隔离结构包括不同于介电结构的第二材料的第一材料。本发明的实施例还提供了形成图像传感器的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106549029B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201610670908.2
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法，包括在衬底的表面上沉积栅极介电层。然后在栅极介电层上方沉积多晶硅层。接下来，在多晶硅层上方沉积保护膜。在保护膜上方形成硬掩模，并图案化多晶硅栅极结构。此后，剥离硬掩模。保护膜显示对多晶硅层的蚀刻选择性并具有40和60埃之间的厚度。通过磷酸溶液湿蚀刻工艺去除硬掩模。本发明实施例涉及形成图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法。
-
公开(公告)号：CN102237274B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010530391.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L21/268 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。
-
公开(公告)号：CN116741790A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310409343.2
申请日：2023-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像传感器集成芯片(IC)。图像传感器IC包括布置在位于衬底第一侧上的层间介电(ILD)结构内的一个或多个互连件。图像感测元件布置在衬底内。衬底的侧壁形成一个或多个沟槽，该一个或多个沟槽从衬底的第二侧延伸至位于图像感测元件相对侧上的衬底内。介电结构布置在形成一个或多个沟槽的衬底的侧壁上。导电芯布置在一个或多个沟槽内并且通过介电结构与衬底横向分隔开。导电芯电耦接至一个或多个互连件。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。
-
公开(公告)号：CN116525631A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310204298.7
申请日：2023-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了具有隔离结构的光学器件及其制造方法。光学器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底、设置在衬底中的第一辐射感测器件和第二辐射感测器件、设置在衬底中并且位于所述第一辐射感测器件和所述第二辐射感测器件之间的第一隔离结构。第一隔离结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光学器件还包括设置在衬底中并且位于第一隔离结构的第一表面上的第二隔离结构。第二隔离结构包括金属结构和围绕金属结构的介电层。第二隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。
-
公开(公告)号：CN106549029A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610670908.2
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/28247 , H01L27/14603 , H01L29/4916 , H01L27/14683 , H01L27/14614
Abstract: 一种制造图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法，包括在衬底的表面上沉积栅极介电层。然后在栅极介电层上方沉积多晶硅层。接下来，在多晶硅层上方沉积保护膜。在保护膜上方形成硬掩模，并图案化多晶硅栅极结构。此后，剥离硬掩模。保护膜显示对多晶硅层的蚀刻选择性并具有40和60埃之间的厚度。通过磷酸溶液湿蚀刻工艺去除硬掩模。本发明实施例涉及形成图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.047 seconds)
