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公开(公告)号：CN112599475A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011065670.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 本公开的实施例在一些实施例中涉及形成集成芯片的方法。该方法包括在半导体主体的正面的互连结构上方形成多个接合焊盘结构，多个接合焊盘结构分别具有钛接触层。图案化互连结构和半导体主体，以形成延伸进入半导体主体的沟槽。在沟槽内形成介电填充材料。在将半导体主体接合至载体衬底之前，蚀刻介电填充材料以暴露钛接触层。减薄半导体主体以沿半导体主体的背面暴露介电填充材料，并形成多个集成芯片管芯；以及去除介电填充材料以分离多个集成芯片管芯。本申请的实施例还提供了集成芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112185843B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911016170.8
申请日：2019-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定真空室的壳体。晶圆夹盘位于所述壳体中且载体晶圆位于所述晶圆夹盘上。相机集成在所述载体晶圆上以使所述相机面对所述壳体的顶部。所述相机被配置成以无线方式拍摄所述壳体内的所关注物体的图像。位于所述壳体外部的是无线接收器。所述无线接收器被配置成在所述真空室被密封的同时从所述相机接收所述图像。
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公开(公告)号：CN115528007A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210226115.7
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/538
Abstract: 一种三维元件结构及其形成方法，三维元件结构包括具有第一半导体基板的第一晶粒、设置在第一晶粒上且包括第二半导体基板的第二晶粒、设置在第一晶粒上且围绕第二晶粒的介电封装层、设置在第二晶粒与介电封装层上的再分布层结构，及嵌入介电封装层中且电连接至至第一晶粒及再分布层结构的集成被动元件。
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公开(公告)号：CN112670428A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010279672.6
申请日：2020-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种显示装置及形成其的方法。显示装置包括设置在半导体衬底的上方的隔离结构。电极至少局部地设置在隔离结构的上方。发光结构设置在电极的上方。导电性反射器设置在隔离结构下方且电耦合到电极。导电性反射器至少局部地设置在发光结构的侧壁之间。导电性反射器包含掺杂非金属的铝材料。本发明涉及一种具有反射率得到提高的反射器的显示装置。
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公开(公告)号：CN110660714A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910578264.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/673
Abstract: 一种半导体裸片载具包含第一部件与第二部件。第一部件包含第一前壁、第一后壁、一体成形于第一后壁的底壁，以及枢轴针脚结构一体成形至第一后壁并从第一后壁延伸。第二部件包含第二前壁、第二后壁、一体成形至第二前壁的顶壁，以及至少一针脚座一体成形至第二后壁并从第二后壁以参照于顶面的一偏移角度延伸。枢轴针脚结构包含连接至第一后壁的基座支撑，以及连接基座支撑的轴。针脚座定义开口，开口的尺寸与大小被调整以接受轴。第一部件与第二部件的尺寸与大小被调整以可枢转地移动于开启状态与关闭状态之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115528008A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210323955.5
申请日：2022-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种三维装置结构，包括晶粒，该晶粒包括半导体基板、设置在半导体基板上的互连结构、延伸穿过半导体基板且电接触互连结构的金属特征的硅穿孔结构及嵌入半导体基板中且电性连接至硅穿孔结构的集成被动元件。
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公开(公告)号：CN115513199A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210555757.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示案各种实施例是针对一种集成晶片与其形成的方法。集成晶片包括基板以及覆于基板上的电阻器。电阻器包括第一金属氮化物结构、与第一金属氮化物结构间隔开的第二金属氮化物结构、以及配置于第一金属氮化物结构与第二金属氮化物结构之间的金属结构。集成晶片还包括第一介电结构，配置在基板及电阻器上方。
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公开(公告)号：CN113285018A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011629122.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片、存储器器件及其形成方法。存储器器件包括设置在衬底上方的下部层间介电(ILD)层内的下部互连上方的底部电极。数据存储结构位于底部电极上方。第一顶部电极层设置在数据存储结构上方，第二顶部电极层位于第一顶部电极层上。与第一顶部电极层相比，第二顶部电极层不易被氧化。顶部电极通孔位于第二顶部电极层上方并且电耦合到第二顶部电极层。
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公开(公告)号：CN113130814A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010805569.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
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公开(公告)号：CN113130814B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010805569.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10K50/856
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
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