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公开(公告)号：CN110957217A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910921765.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , C09K3/14
Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。
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公开(公告)号：CN103972213A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310169593.X
申请日：2013-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76855 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。一个示例性的半导体器件包括衬底，该衬底包括分开源极和漏极（S/D）部件的栅极结构。该半导体器件进一步包括形成在衬底上方的第一介电层，该第一介电层包括与S/D部件电接触的第一互连结构。该半导体器件进一步包括形成在第一介电层上方的中间层，该中间层具有与第一互连结构基本上共面的顶面。该半导体器件进一步包括形成在中间层上方的第二介电层，该第二介电层包括与第一互连结构电接触的第二互连结构和与栅极结构电接触的第三互连结构。本发明还提供了一种具有多级互连的半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110556360B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910211336.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
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公开(公告)号：CN110556360A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910211336.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
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公开(公告)号：CN102732157B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210003774.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972213B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310169593.X
申请日：2013-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76855 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。一个示例性的半导体器件包括衬底，该衬底包括分开源极和漏极（S/D）部件的栅极结构。该半导体器件进一步包括形成在衬底上方的第一介电层，该第一介电层包括与S/D部件电接触的第一互连结构。该半导体器件进一步包括形成在第一介电层上方的中间层，该中间层具有与第一互连结构基本上共面的顶面。该半导体器件进一步包括形成在中间层上方的第二介电层，该第二介电层包括与第一互连结构电接触的第二互连结构和与栅极结构电接触的第三互连结构。本发明还提供了一种具有多级互连的半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102886733A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210188917.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及用于晶圆研磨的装置。其中，一种研磨砂轮包括：外部基底，具有第一附接的磨粒抛光垫；内部框架，具有第二附接的磨粒抛光垫；以及主轴，通过外部基底和内部框架共享该主轴，其中，外部基底和内部框架中在至少一个可以沿着共享的主轴独立的移动；以及其中，外部基底、内部框架、以及共享主轴均具有相同中心。一种研磨系统包括：上述研磨砂轮；和除了驱动研磨砂轮旋转的电机以外，还包括砂轮头，附接至共享主轴，能够垂直移动；以及卡盘工作台，用于将晶圆固定在卡盘工作台的顶部；其中，研磨砂轮与卡盘工作台的一部分重叠，研磨砂轮和卡盘工作台均能够以另一个的相反方向旋转。
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公开(公告)号：CN110783186B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910696438.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L23/48
Abstract: 提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。
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公开(公告)号：CN110153872B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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公开(公告)号：CN110153872A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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