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公开(公告)号：CN117995661A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410092077.X
申请日：2024-01-23
Applicant: 安徽大学 , 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。
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公开(公告)号：CN117995661B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410092077.X
申请日：2024-01-23
Applicant: 安徽大学 , 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。
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公开(公告)号：CN117317032A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311141838.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种沟槽型SiC肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括肖特基单元、电极金属层和正电荷掺杂区，本发明将沟槽放置于肖特基结处，减少了肖特基二极管正向导通时的沟道距离，可以显著降低肖特基二极管的正向导通电阻，提高正向导通的电流密度，并且沟槽的两个侧边呈一定角度刻蚀，形成倒梯形沟槽，沟槽底部与侧边的平缓过度极大地降了边缘的电场强度，提高肖特基二极管的反向耐压能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219505A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311299206.4
申请日：2023-10-08
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的斜槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，本发明通过双侧刻蚀的方法，每侧的角度均能够根据需求调整，从而刻蚀出梯形的沟槽，通过可控角度的刻蚀得到不同角度的斜槽，以适应不同器件对深槽边缘的实际需求，通过这些不同角度的斜槽可以有助于各类SiC器件的开发和制备，同时一定角度的斜槽可以增大器件的反向耐压和正向导通电流，降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117219505B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202311299206.4
申请日：2023-10-08
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的斜槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，本发明通过双侧刻蚀的方法，每侧的角度均能够根据需求调整，从而刻蚀出梯形的沟槽，通过可控角度的刻蚀得到不同角度的斜槽，以适应不同器件对深槽边缘的实际需求，通过这些不同角度的斜槽可以有助于各类SiC器件的开发和制备，同时一定角度的斜槽可以增大器件的反向耐压和正向导通电流，降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117672833A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311445573.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于高K介电层的半导体器件加工方法，涉及半导体加工技术领域，包括本发明通过从独立制备良好的高K介电材料上，采用剥离的方式剥离出独立的高K介电层，并将其高效地转移到目标衬底上，摒弃了传统方法中，在已有材料表面采用如化学沉积，物理沉积等方式进行直接生长的方法，使其最终所制备出的半导体器件的损耗较小，物理缺陷较小，能够充分发挥高K介电材料本征性质的优点，而且剥离贴合工序的操作简单，成本较低，采用此方法能够大大降低半导体元器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN117976541A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311734462.1
申请日：2023-12-18
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，涉及半导体工艺技术领域，本发明通过将氧化铝层和氧化铪层堆叠构成叠层，作为碳化硅功率器件的栅氧化层，提高了栅极氧化物的耐压能力、降低了栅极的泄漏电流，并且提高了栅极控制能力，氧化铪层的高介电常数可以有效的降低碳化硅功率器件的电场，防止器件的栅氧化层提前击穿，提高器件的耐压能力，氧化铝层调制了栅氧化层的能带，使界面处的能带偏移增大，有效改善界面处的界面态密度，降低器件的漏电流，提高栅极的控制能力。
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公开(公告)号：CN117133627A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311057593.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开属于半导体材料领域技术领域的一种用于碳化硅衬底表面制备氧化层的方法。所述方法利用氧等离子体发生装置对碳化硅表面轰击氧等离子体，破坏碳化硅基片表面的化学键；将预处理后的碳化硅基片放置在利用管式炉在高温通氧环境下对碳化硅表面进行干氧氧化；后处理过程中将基片表面再次进行氧等离子体轰击进而减少干氧氧化的氧空位显著提升其氧化质量，使氧化层均匀度显著提升，致密性良好；使其氧元素含量高达42.5％。同时显著提升碳化硅基片的电容，其容量高达1.4×10‑13～1.6×10‑13F。
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