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公开(公告)号：CN117995661B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410092077.X
申请日：2024-01-23
Applicant: 安徽大学 , 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。
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公开(公告)号：CN117995661A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410092077.X
申请日：2024-01-23
Applicant: 安徽大学 , 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。
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公开(公告)号：CN117497610A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311371023.9
申请日：2023-10-23
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/41 , H01L29/16
Abstract: 本公开公开了属于半导体材料技术领域的一种P型‑SiC和N型‑Ga2O3异质结功率器件及其制备方法和应用，本发明采用高导热率的P型‑SiC衬底，设计出P型‑SiC衬底和N型‑Ga2O3异质结二极管功率器件，显著提高了SiC基二极管功率器件的击穿电压。通过优化氧化镓外延层的厚度、掺杂浓度和与SiC衬底界面接触，来制备出高性能SiC基二极管功率器件；并且通过特定的退火工艺优化了Ga2O3外延层与SiC衬底的界面接触，显著提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN117317032A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311141838.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种沟槽型SiC肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括肖特基单元、电极金属层和正电荷掺杂区，本发明将沟槽放置于肖特基结处，减少了肖特基二极管正向导通时的沟道距离，可以显著降低肖特基二极管的正向导通电阻，提高正向导通的电流密度，并且沟槽的两个侧边呈一定角度刻蚀，形成倒梯形沟槽，沟槽底部与侧边的平缓过度极大地降了边缘的电场强度，提高肖特基二极管的反向耐压能力。
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公开(公告)号：CN117219505A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311299206.4
申请日：2023-10-08
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的斜槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，本发明通过双侧刻蚀的方法，每侧的角度均能够根据需求调整，从而刻蚀出梯形的沟槽，通过可控角度的刻蚀得到不同角度的斜槽，以适应不同器件对深槽边缘的实际需求，通过这些不同角度的斜槽可以有助于各类SiC器件的开发和制备，同时一定角度的斜槽可以增大器件的反向耐压和正向导通电流，降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219505B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202311299206.4
申请日：2023-10-08
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的斜槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，本发明通过双侧刻蚀的方法，每侧的角度均能够根据需求调整，从而刻蚀出梯形的沟槽，通过可控角度的刻蚀得到不同角度的斜槽，以适应不同器件对深槽边缘的实际需求，通过这些不同角度的斜槽可以有助于各类SiC器件的开发和制备，同时一定角度的斜槽可以增大器件的反向耐压和正向导通电流，降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117672833A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311445573.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于高K介电层的半导体器件加工方法，涉及半导体加工技术领域，包括本发明通过从独立制备良好的高K介电材料上，采用剥离的方式剥离出独立的高K介电层，并将其高效地转移到目标衬底上，摒弃了传统方法中，在已有材料表面采用如化学沉积，物理沉积等方式进行直接生长的方法，使其最终所制备出的半导体器件的损耗较小，物理缺陷较小，能够充分发挥高K介电材料本征性质的优点，而且剥离贴合工序的操作简单，成本较低，采用此方法能够大大降低半导体元器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN116895688A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202311083995.8
申请日：2023-08-28
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L29/47 , H01L29/45 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/16
Abstract: 本公开公开了属于半导体材料技术领域的一种用于碳化硅肖特基器件的阳极材料及其应用。本公开首次采用形状记忆合金Fe‑Mn‑Si作为碳化硅肖特基二极管中阳极材料，通过合金中Si的加入、晶圆表面的预处理工艺、合金退火条件等因素，使合金的形状记忆效应增大,可使合金的耐蚀性增强，来提高器件的界面接触和耐用性。此外，Fe‑Mn‑Si合金作为阳极材料拥有与Fe、Mn金属阳极材料接近的反向击穿电压、导通电阻和导通电压，可以应用于碳化硅肖特基二极管器件上，还可以利用温度变化调整Fe‑Mn‑Si合金中马氏体的含量，通过合金电阻率的变化来进一步调控二极管器件整流特性。
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公开(公告)号：CN116779688A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310939283.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种具有结型P+保护的沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及制作方法，包括电极金属层、肖特基单元、沟槽MOS单元和P+型保护环，本发明在沟槽内设置有填充导电多晶硅、氧化物介电层、绝缘多晶硅层构成的三明治结构，保持了沟槽侧壁的MOS结构，也在沟槽内部形成了类MOS的平行板电容结构，大大平缓了器件击穿时主结边缘电场分布，提高了器件的反向耐压大小，也提高了器件的正向导通电流大小，另外在沟槽两端添加P+型保护环构成的保护结构，一方面缓和沟槽外边缘界面出的尖峰电场，同时由于P+型保护环的加入有效的抑制镜像力对肖特基势垒的影响，从而使器件获得更低的正向开启电压和反向泄露电流。
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公开(公告)号：CN116779688B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310939283.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有结型P+保护的沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及制作方法，包括电极金属层、肖特基单元、沟槽MOS单元和P+型保护环，本发明在沟槽内设置有填充导电多晶硅、氧化物介电层、绝缘多晶硅层构成的三明治结构，保持了沟槽侧壁的MOS结构，也在沟槽内部形成了类MOS的平行板电容结构，大大平缓了器件击穿时主结边缘电场分布，提高了器件的反向耐压大小，也提高了器件的正向导通电流大小，另外在沟槽两端添加P+型保护环构成的保护结构，一方面缓和沟槽外边缘界面出的尖峰电场，同时由于P+型保护环的加入有效的抑制镜像力对肖特基势垒的影响，从而使器件获得更低的正向开启电压和反向泄露电流。
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