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公开(公告)号：CN115029669B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210638878.2
申请日：2022-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
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公开(公告)号：CN119465054A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411672305.7
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高温液态靶材高功率脉冲磁控溅射技术高速沉积氧化铝涂层的方法，它涉及一种高速沉积氧化铝涂层的方法。本发明要解决现有氧化铝涂层溅射沉积过程中，存在靶中毒现象，导致靶材的溅射速率很低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、通入O2气，在高功率及超高温下进行溅射。本发明用于超高温液态靶材高功率脉冲磁控溅射技术高速沉积氧化铝涂层。
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公开(公告)号：CN115029669A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210638878.2
申请日：2022-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
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