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公开(公告)号：CN113378382A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110643513.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 一种用于量化密集人群内部最大挤压力的方法，它属于人群疏散应急技术领域。本发明解决了根据现有方法获得的人群受力情况对事故进行预防的效果差的问题。本发明对疏散人群内部受力进行量化探究，按照实际情况调整社会力模型，通过分析得出挤压力和疏散实际速度、人数、行人密度的定量关系。在实际疏散过程中，通过对疏散区域进行子区域划分，再根据所得到的定量关系分别计算每个子区域的挤压力，最后将最大的挤压力所对应的子区域作为重点关注区域，可以有效预防事故的发生，提升对事故进行预防的效果。本发明可以应用于人群疏散应急技术领域。
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公开(公告)号：CN109930106A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910379626.0
申请日：2019-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有高耐磨损能力的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法，涉及一种TiAlSiN涂层的制备方法。本发明是要解决现有的TiAlSiN涂层的耐磨性差的技术问题。本发明提出的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法，使用TiAlSi合金阴极靶材，通过改变通入的氮气来实现涂层成分的改变，从而制备多层交替涂层，提高涂层的工业应用性。由于TiAlSi合金的硬度较低，TiAlSiN涂层硬度较高，使用该种方法制备得到的软硬交替涂层，可以很好地缓解涂层应力，改善涂层塑韧性，提高涂层的耐磨性，对于提高刀具涂层的使用寿命具有重大意义。
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公开(公告)号：CN104966655B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510357767.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种环形碳纤维阴极及其制备方法，它涉及一种阴极及其制备方法。本发明的目的是要解决现有碳纤维阴极为平面形式阴极，无法对复杂工件表面进行均匀的辐照改性处理的问题。装置包括屏蔽环、螺孔、电极、环形内绝缘环、导电环和碳纤维束；所述的电极的内部设有环形内绝缘环，电极的上下两端均设有导电环；环形内绝缘环和导电环的上下两端均设有屏蔽环；碳纤维束的一端焊接在电极的通孔中，碳纤维束的另一端穿出环形内绝缘环的通孔。制备方法：一、制备环形内绝缘环和电极；二、制备碳纤维束；三、将电极和导电环固定，将电极和环形内绝缘环固定；四、将屏蔽环固定在环形内绝缘环和导电环的表面上。本发明可获得一种环形碳纤维阴极。
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公开(公告)号：CN102436997B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110395868.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极的制备方法，它涉及一种碳纤维阴极的制备方法。本发明要解决现有技术制备的阴极存在不能发射大面积均匀电子束的问题。方法：分别制备碳纤维束安装盘、碳纤维束和高压电极，然后将碳纤维束、限流电阻、高压电极和碳纤维束安装盘依次组装焊接在一起，即得到发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极。优点：一、可以保证整个阴极面的均匀电子爆炸发射；二、可以单独更换碳纤维束，节省成本；三、可以调节发射电流；四、可以实现不同空间位置发射电流的控制。本发明主要用于制备发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极。
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公开(公告)号：CN102634795A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210146045.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 一种在金属基体上实现氧化物陶瓷膜层冶金结合的方法，它涉及金属基体与陶瓷膜层的连接方法。本发明要解决现有的氧化物陶瓷膜层与金属基体之间的结合强度低，难以形成膜层与基体冶金结合的问题。方法按以下步骤进行：一、清洗金属基体；二、在步骤一所得的金属基体上制备一层活性材料层；三、在步骤二制备的活性材料层上覆盖功能膜层；四、连接活性材料层和功能膜层，在连接温度为750℃～1400℃的条件下，保温10～40min，完成氧化物陶瓷膜层与金属基体的冶金结合。本发明具有如下优势：膜层与基体之间为冶金结合，结合强度高；膜层与基体之间的热应力低；膜层质量好，不存在裂纹等缺陷。本发明用于金属基体与陶瓷膜层的连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102492924A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110418126.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/30
Abstract: 自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法，它涉及电子束蒸镀的装置及方法。本发明是要解决现有的电子束蒸镀方法的膜层与基体之间的结合力低，离子束辅助电子束蒸镀的方法成膜速度慢的技术问题。自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置由电子束蒸镀装置和射频辉光放电系统和真空系统组成；其中射频辉光放电系统由射频放电电极和射频电源组成。镀膜方法：将基体放在样品架上，成膜物质放置于坩埚中，抽真空后，启动烘烤装置加热基体，启动电子束蒸发源产生电子束，加热坩埚内物质，形成蒸汽，启动射频电源2和射频放电电极，同时对样品架加电压，镀膜后，得到膜层。本法成膜速度快，膜层结合强度高，可用于光学膜层、热防护涂层及防蚀涂层制备领域。
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公开(公告)号：CN1175124C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02133101.4
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术，并使工件在10～60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1-1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1-2)组成。在固定盘(1-1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1-3)，动盘(1-2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。
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公开(公告)号：CN1414135A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02133101.4
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术，并使工件在10～60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1－1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1－2)组成。在固定盘(1－1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1－3)，动盘(1－2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。
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公开(公告)号：CN119465054A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411672305.7
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高温液态靶材高功率脉冲磁控溅射技术高速沉积氧化铝涂层的方法，它涉及一种高速沉积氧化铝涂层的方法。本发明要解决现有氧化铝涂层溅射沉积过程中，存在靶中毒现象，导致靶材的溅射速率很低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、通入O2气，在高功率及超高温下进行溅射。本发明用于超高温液态靶材高功率脉冲磁控溅射技术高速沉积氧化铝涂层。
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公开(公告)号：CN115029669A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210638878.2
申请日：2022-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
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