公开(公告)号：CN115029669A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210638878.2

申请日：2022-06-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  孙田玮 ,  黄新放 ,  王小峰

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。

公开(公告)号：CN115029669B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210638878.2

申请日：2022-06-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  孙田玮 ,  黄新放 ,  王小峰

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。