一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN119637804A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411772137.9

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 一种埋入式电极的柔性阵列式透明压阻传感器的制备方法,本发明是要解决现有基于PDMS的压阻式传感器添加导电填料在衬底内部形成导电通路,但衬底呈黑色不透明的问题。制备方法:S1、将导电材料溶液和PDMS母液混合,将PDMS固化剂滴加于混合液中,抽真空消泡后烘烤处理,得到半固体状态的柔性导电衬底材料;S2、在透明衬底上依次沉积牺牲层和透明导电薄膜得到供体薄膜载体,将供体薄膜载体倒置在柔性导电衬底材料上,采用脉冲激光辐照牺牲层;S3、在柔性导电衬底表面添加液态PDMS预聚物,再进行烘烤固化封装。本发明柔性阵列式透明压阻传感器制备工艺简单、材料成本低、可大批量自动化制备、稳定性和使用寿命长。

    采用银膜刻蚀制备柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的方法与应用

    公开(公告)号:CN119581101A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411772136.4

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 采用银膜刻蚀制备柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的方法与应用,本发明是要解决现有柔性衬底上直接沉积非晶态ITO薄膜光电性能差且高性能柔性ITO薄膜的制备工艺复杂的问题。制备方法:一、对金属Ag、陶瓷ITO靶材和硅片进行超声清洗;二、在硅片衬底上沉积Ag膜和ITO膜,再以200~500℃的温度进行退火处理;三、把预聚液体滴加在晶态ITO薄膜表面,经旋涂处理,得到硅片/Ag/ITO/PDMS样品,经Ag膜刻蚀后得到柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜。本发明弥补了柔性衬底镀覆ITO薄膜后无法退火处理和直接镀覆界面易脱落的材料制备局限性,制备的柔性ITO薄膜具有良好的导电性能,可见光波段的透过率约为90%。

    一种基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关

    公开(公告)号:CN119471902A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411209226.2

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 一种基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关,本发明是要解决现有片上集成光调制器存在尺寸偏大、集成度较低、功能单一、无记忆特性等不足的问题。本发明基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关中的Si单模光波导设置在SiO2衬底上,在Si单模光波导的上表面沉积图案化的GST材料的微纳结构单元,形成GST结构阵列,GST结构阵列由多个等间距设置的微纳结构单元组成,多个微纳结构单元呈一维阵列结构。本发明所述的光开关是将相变材料与现有光子芯片平台进行异质集成,通过控制GST结构阵列的相变,基于波导边界微扰来实现对光学信号的高效调制,同时兼容高性能和高集成度的显著优势。

    一种可见光-中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115747739B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202211438098.X

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法,涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜,制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上,电导率均在30S/cm以上;镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60%,中红外透过率也可达约为50%,实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。

    用于半球形曲面内表面均匀镀膜的原子层沉积装置

    公开(公告)号:CN117802480A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202410093201.4

    申请日:2024-01-23

    Abstract: 用于半球形曲面内表面均匀镀膜的原子层沉积装置,本发明是为了解决现有镀膜技术存在的曲面光学窗口内表面镀膜均匀性和稳定性不佳的问题。本发明原子层沉积装置中的气体通道件竖直固定在舱体底座上,在抽气板上表面的圆周方向上设置有围沿,围沿、凸沿以及盖板围成气腔,抽气板固定在气体通道件的上表面,在盖板的上表面固定设置有中空球壳,样品支架套设在气体通道件的外部,半球形样品放置在样品支架的环形平台上,舱体安装在舱体底座上,舱体套设在样品支架的外部,舱盖盖设在舱体的顶部,舱盖的下表面设置有半球形加热器。本发明通过设计原子层沉积装置的舱体结构,以实现对半球形曲面内表面的均匀镀膜,获得了更加均匀稳定的流场分布。

    适用于双曲面光学窗口表面镀膜的电子束蒸发镀膜的装置

    公开(公告)号:CN116815131A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310866871.0

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 适用于双曲面光学窗口表面镀膜的电子束蒸发镀膜的装置,本发明为了解决传统电子束蒸发在双曲面样件表面沉积均匀性差的问题。本发明电子束蒸发镀膜的装置包括真空腔、台架和多自由度样品台,所述的多自由度样品台包括升降装置、旋转装置、主轴、升降波纹管和旋转轴,旋转装置中的传动轮与自转磁力耦合器的外壳通过皮带传动,第一连杆上的自转主齿轮与旋转轴上的自转从动齿轮相啮合,主轴的底部设置有旋转架,旋转架上设置有电机盒和第二轴承座。在电子束沉积镀膜时,升降丝杆上的螺纹带动样品升降滑块上下运动,磁力耦合自转主齿轮带动从动齿轮实现样品自转。驱动齿轮咬合球面齿轮实现球形齿轮沿着球面运动,从而使双曲面样件表面实现均匀沉积。

    一种高透过光学镜头的制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116288277A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310290741.7

    申请日:2023-03-23

    Abstract: 一种高透过光学镜头的制备方法,涉及一种光学镜头的制备方法。本发明是要解决现有的薄膜制备技术难以精确控制纳米级薄膜厚度的技术问题。本发明利用高、低折射率搭配的原则,选用高折射率TiO2和低折射率SiO2为基础的膜系材料,以达到高透过的效果。此光学镜头兼实现了高透过,在400nm~800nm范围内的理论平均反射率约为10%,实际反射率也低于16%,具有良好的可见光光学性能。该光学镜头的实现,可为抬头显示可见光波段工作提供技术保障,极大程度地提升抬头显示使用性能。

    适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置

    公开(公告)号:CN119307892A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411459982.0

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置,本发明是为了解决传统原子层沉积技术仅适用于平面衬底,在曲面上进行原子层沉积存在衬底加热不均的问题。本发明均匀加热装置中的导热球壳为半球壳体并设置有热电偶,加热丝螺旋盘绕在导热球壳的外壳表面形成加热体,保温球壳由竖直管体与半球壳组成,竖直管体设置在半球壳的外壳中心处形成一体结构,加热体套设在保温球壳内,舱盖上开有通孔,保温球壳的竖直管体插入通孔内,通过调节卡扣卡夹住竖直管体。应用该均匀加热装置到曲面原子层沉积设备上,在衬底上制备TiO2薄膜,验证了加热的均匀性。本发明均匀加热装置实现了衬底各个区域温差在10℃以内,保证了原子层沉积用于曲面镀膜时的均匀性。

    一种用于X射线光电子能谱原位测试的样品托及其应用

    公开(公告)号:CN118501197A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410573565.2

    申请日:2024-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种用于X射线光电子能谱原位测试的样品托及其应用,涉及光电子能谱原位测试领域,包括台架,还包括放置台,其用于放置测试样品,所述放置台的底部与台架固定连接,所述放置台顶部开设有弧形凹槽,环形台,所述环形台内壁与放置台转动连接,固定机构,所述固定机构安装于环形台上;该用于X射线光电子能谱原位测试的样品托,通过B驱动组件驱动A支架转动的同时,C驱动组件驱动B支架转动,从而使B支架带动按压件转动下压测试样品,多个按压件环绕测试样品对测试样品进行按压,使得测试样品与弧形凹槽的接触充分,保证测试样品与样品托有良好的接触与稳定性,从而保证测试的准确性和可靠性。

    用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法

    公开(公告)号:CN119121130A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411209224.3

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法,本发明要解决利用磁控溅射技制备VO2薄膜工艺中VOx混杂相的成分对氧气流量十分敏感,VO2薄膜制备工艺的稳定性不佳的技术问题。调控方法:一、超声清洗基底;二、清洗金属靶材;三、V金属靶材与直流电源相连,W金属靶材与射频电源相连;四、抽真空;五、加热基底;六、起辉;七、对靶材进行预溅射处理;八、控制氧气流量使镀膜状态处于中毒模式下进行薄膜沉积;九、降温;十、置于退火炉内抽真空;十一、退火处理。本发明通过引入W原子在调控VO2的晶体结构和能带结构的同时,充分利用W和V元素电负性以及原子半径的差异,实现了微观电子极化响应和光频介电特性的同步调控。

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