公开(公告)号：CN101548362A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200680002276.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·W·莱恩 ,  E·G·利宁格 ,  刘小虎 ,  S·V·恩古源 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/20 ,  B32B3/26 ,  B05C11/00

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: 本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。

公开(公告)号：CN104103567B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410122665.X

申请日：2014-03-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  K·E·福格尔 ,  J·B·汗农 ,  金志焕 ,  朴弘植 ,  D·法伊弗 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/683

CPC classification number: C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1153

Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。

公开(公告)号：CN103503147B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280018940.2

申请日：2012-03-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  A·格里尔

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/66795 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

Abstract: 从碳化硅（SiC）鳍或纳米线的模板提供半导体结构，所述半导体结构包括沿晶向取向的平行石墨烯纳米带或碳纳米管。首先提供SiC鳍或纳米线，然后通过退火在所述鳍或所述纳米线的暴露表面上形成石墨烯纳米带或碳纳米管。在其中形成闭合的碳纳米管的实施例中，纳米线在退火之前被悬置。所提供的石墨烯纳米带和碳纳米管的位置、取向和手征性由形成该石墨烯纳米带和碳纳米管所使用的对应碳化硅鳍和纳米线确定。

公开(公告)号：CN103247679A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。

公开(公告)号：CN101548362B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200680002276.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·W·莱恩 ,  E·G·利宁格 ,  刘小虎 ,  S·V·恩古源 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/20 ,  B32B3/26 ,  B05C11/00

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: 本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。

公开(公告)号：CN103247679B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。

公开(公告)号：CN104103567A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410122665.X

申请日：2014-03-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  K·E·福格尔 ,  J·B·汗农 ,  金志焕 ,  朴弘植 ,  D·法伊弗 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/683

CPC classification number: C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1153

Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。

公开(公告)号：CN103503147A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018940.2

申请日：2012-03-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  A·格里尔

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/66795 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

Abstract: 从碳化硅（SiC）鳍或纳米线的模板提供半导体结构，所述半导体结构包括沿晶向取向的平行石墨烯纳米带或碳纳米管。首先提供SiC鳍或纳米线，然后通过退火在所述鳍或所述纳米线的暴露表面上形成石墨烯纳米带或碳纳米管。在其中形成闭合的碳纳米管的实施例中，纳米线在退火之前被悬置。所提供的石墨烯纳米带和碳纳米管的位置、取向和手征性由形成该石墨烯纳米带和碳纳米管所使用的对应碳化硅鳍和纳米线确定。