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公开(公告)号：CN1589502A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02823267.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/02161
Abstract: 一种光接收装置包括硅衬底100、在所述衬底100上的第一P型扩散层101、以及在所述第一P型扩散层101上的P型半导体层102。在所述P型半导体层102表面部分上，设置两个N型扩散层103和103作为光接收部分，并且设置第二P型扩散层104在所述两个N型扩散层103和103之间。在所述P型半导体层102上，设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm，因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm，因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN100371686C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410062023.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 用于光编码器的光电探测器具有多组分区光电二极管，各组由能够应付具有参考分辨率的刻度缝隙的二个邻接的分区光电二极管组成。二个邻接的分区光电二极管的输出线在各组光电探测器中被连接到一起。这些输出线被连接到其它组中的相应分区光电二极管的输出线。二个邻接的分区光电二极管用作一个分区光电二极管，从而使所用刻度缝隙的分辨率为参考分辨率的1/2。于是，仅仅借助于修正布线而无须改变分区光电二极管的任何构造，此光电探测器就容易地以低的成本应付了具有分辨率为参考分辨率的1/2的刻度缝隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100343997C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02823267.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/02161
Abstract: 一种光接收装置包括硅衬底100、在所述衬底100上的第一P型扩散层101、以及在所述第一P型扩散层101上的P型半导体层102。在所述P型半导体层102表面部分上，设置两个N型扩散层103和103作为光接收部分，并且设置第二P型扩散层104在所述两个N型扩散层103和103之间。在所述P型半导体层102上，设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm，因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm，因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN101042298A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710103511.6
申请日：2007-02-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种光学式测距传感器和热水清洗坐便器，接受通过感光用聚光机构(14)聚光的反射光的感光元件(12)具有两个第1，第2电极(15)，(16)，该两个第2电极(15)，(16)沿将发光元件(11)和感光元件连接的基准线，相隔规定间距设置于感光面上；电阻区域(21)，其设置于两个电极之间。在入射到到上述感光元件(12)的感光面的光的入射位置产生的电荷形成光电流，通过电阻区域(21)，由第1，第2电极(15，16)分别输出。上述感光元件(12)的电阻区域(21)的电阻值分布为与从感光用聚光机构(14)的光轴到感光面的光斑的入射位置的距离基本成反比。
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公开(公告)号：CN1589503A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822978.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
Abstract: 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。
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公开(公告)号：CN100370628C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN02822978.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
Abstract: 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。
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公开(公告)号：CN1576800A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062023.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 用于光编码器的光电探测器具有多组分区光电二极管，各组由能够应付具有参考分辨率的刻度缝隙的二个邻接的分区光电二极管组成。二个邻接的分区光电二极管的输出线在各组光电探测器中被连接到一起。这些输出线被连接到其它组中的相应分区光电二极管的输出线。二个邻接的分区光电二极管用作一个分区光电二极管，从而使所用刻度缝隙的分辨率为参考分辨率的1/2。于是，仅仅借助于修正布线而无须改变分区光电二极管的任何构造，此光电探测器就容易地以低的成本应付了具有分辨率为参考分辨率的1/2的刻度缝隙。
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