光接收装置、包括电路的光接收元件、以及光盘驱动器

    公开(公告)号:CN1589502A

    公开(公告)日:2005-03-02

    申请号:CN02823267.4

    申请日:2002-12-10

    CPC classification number: H01L31/103 H01L31/02161

    Abstract: 一种光接收装置包括硅衬底100、在所述衬底100上的第一P型扩散层101、以及在所述第一P型扩散层101上的P型半导体层102。在所述P型半导体层102表面部分上,设置两个N型扩散层103和103作为光接收部分,并且设置第二P型扩散层104在所述两个N型扩散层103和103之间。在所述P型半导体层102上,设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm,因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm,因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。

    光接收装置、包括电路的光接收元件、以及光盘驱动器

    公开(公告)号:CN100343997C

    公开(公告)日:2007-10-17

    申请号:CN02823267.4

    申请日:2002-12-10

    CPC classification number: H01L31/103 H01L31/02161

    Abstract: 一种光接收装置包括硅衬底100、在所述衬底100上的第一P型扩散层101、以及在所述第一P型扩散层101上的P型半导体层102。在所述P型半导体层102表面部分上,设置两个N型扩散层103和103作为光接收部分,并且设置第二P型扩散层104在所述两个N型扩散层103和103之间。在所述P型半导体层102上,设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm,因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm,因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。

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