公开(公告)号：CN101924136A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202798.X

申请日：2010-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  约翰·K·特怀南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中，本发明的半导体装置具备：基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层，且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN101324639B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200810125982.1

申请日：2008-06-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明 ,  川村博史 ,  约翰·K·特怀南 ,  长谷川正智

IPC: G01R13/32

CPC classification number: G01R1/06766 ,  G01R31/2621

Abstract: 提供了一种电压箝位电路以及分别使用该电压箝位电路的半导体器件、过流保护电路、电压测量探头、电压测量设备和半导体评估设备。在电压箝位电路(1)中，具有负阈电压((-2V))的常通型场效应晶体管(8)具有连接到输入节点(N8)的漏极、连接到输出节点(N9)并经由电阻元件(9)接地的源极、以及被供应有可变直流电源(10)的输出电压((2V))的栅极。当输出节点(N9)处的电压由于电阻元件(9)的电压降而变得高于箝位电压(Vc(＝4V))时，场效应晶体管(8)关断。相应地，输出电压(Vout)被限制到最大为箝位电压。因此，响应速度比使用二极管等的传统电压箝位电路的响应速度要高。

公开(公告)号：CN101324639A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125982.1

申请日：2008-06-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明 ,  川村博史 ,  约翰·K·特怀南 ,  长谷川正智

IPC: G01R13/32

CPC classification number: G01R1/06766 ,  G01R31/2621

Abstract: 提供了一种电压箝位电路以及分别使用该电压箝位电路的半导体器件、过流保护电路、电压测量探头、电压测量设备和半导体评估设备。在电压箝位电路(1)中，具有负阈电压(－2V)的常通型场效应晶体管(8)具有连接到输入节点(N8)的漏极、连接到输出节点(N9)并经由电阻元件(9)接地的源极、以及被供应有可变直流电源(10)的输出电压(2V)的栅极。当输出节点(N9)处的电压由于电阻元件(9)的电压降而变得高于箝位电压(Vc(＝4V))时，场效应晶体管(8)关断。相应地，输出电压(Vout)被限制到最大为箝位电压。因此，响应速度比使用二极管等的传统电压箝位电路的响应速度要高。

公开(公告)号：CN101924136B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010202798.X

申请日：2010-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤伸之 ,  约翰·K·特怀南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中，本发明的半导体装置具备：基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层，且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN101924128B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010201136.0

申请日：2010-06-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  约翰·K·特怀南

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其具有：基板、沟道层、载流子供给层、源极电极、漏极电极、栅极电极、在源极电极和漏极电极之间层叠于载流子供给层且抑制电流崩塌现象的第一绝缘层、形成于与漏极电极相对的第一绝缘层的端部与漏极电极之间的开口部、以及层叠于在开口部露出的载流子供给层的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN101924128A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010201136.0

申请日：2010-06-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  约翰·K·特怀南

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其具有：基板、沟道层、载流子供给层、源极电极、漏极电极、栅极电极、在源极电极和漏极电极之间层叠于载流子供给层且抑制电流崩塌现象的第一绝缘层、形成于与漏极电极相对的第一绝缘层的端部与漏极电极之间的开口部、以及层叠于在开口部露出的载流子供给层的第二绝缘层。