公开(公告)号：CN100547803C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710141286.5

申请日：2007-08-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L31/105

Abstract: 一种半导体器件包括利用硅衬底形成的光电二极管、形成于硅衬底上并具有比硅的带隙宽的带隙的宽带隙半导体层、以及利用宽带隙半导体层形成的开关元件。开关元件电连接到光电二极管以便由来自光电二极管的控制信号来进行导通/断开控制。

公开(公告)号：CN1804677A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200610005477.4

申请日：2006-01-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明 ,  中村淳一 ,  中山信一

IPC: G02B26/10

CPC classification number: G02B26/085 ,  G02B26/105

Abstract: 本发明公开一种光扫描装置。将光从发光元件(22B)朝着可绕轴线(L2)进行角变位的扫描反射镜(11)的厚度方向的表面(31)出射。第一和第二受光部(14A，14B)的至少其中一方，接受从发光元件(22B)出射并被反射反射镜(50B)反射的光。第一和第二受光部(14A，14B)以及信号输出部(24)，输出包含表示接受所述光的位置的位置信息的电信号。该位置信息，表示扫描反射镜(11)的角变位量，驱动部(21)基于该位置信息来使扫描反射镜(11)扫描，并能够使从第一光源(12)出射的光照射在预定的照射位置上。

公开(公告)号：CN102725840A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。

公开(公告)号：CN101123263A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710141286.5

申请日：2007-08-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L31/105

Abstract: 一种半导体器件包括利用硅衬底形成的光电二极管、形成于硅衬底上并具有比硅的带隙宽的带隙的宽带隙半导体层、以及利用宽带隙半导体层形成的开关元件。开关元件电连接到光电二极管以便由来自光电二极管的控制信号来进行导通/断开控制。

公开(公告)号：CN101853831B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010159435.2

申请日：2010-03-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/49505 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48824

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备：具有第一引线(6)、第二引线(7)和第三引线(8)的引线框(1)。功率晶体管(2)配置在第一引线(6)上，功率晶体管(2)与第一引线(6)连接。功率晶体管(2)在第一引线(6)侧的相反侧具有漏极电极，该漏极电极与功率晶体管(2)上的Cu片(3)连接。Cu片(3)经由Al导线(4)而与第二引线(7)连接。由此，在将Al导线(4)进行引线接合时，由引线接合引起的冲击能够被Cu片(3)吸收、由引线接合引起的压力能够被Cu片(3)分散、由引线接合引起的热能够被Cu片(3)扩散。

公开(公告)号：CN101324639B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200810125982.1

申请日：2008-06-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明 ,  川村博史 ,  约翰·K·特怀南 ,  长谷川正智

IPC: G01R13/32

CPC classification number: G01R1/06766 ,  G01R31/2621

Abstract: 提供了一种电压箝位电路以及分别使用该电压箝位电路的半导体器件、过流保护电路、电压测量探头、电压测量设备和半导体评估设备。在电压箝位电路(1)中，具有负阈电压((-2V))的常通型场效应晶体管(8)具有连接到输入节点(N8)的漏极、连接到输出节点(N9)并经由电阻元件(9)接地的源极、以及被供应有可变直流电源(10)的输出电压((2V))的栅极。当输出节点(N9)处的电压由于电阻元件(9)的电压降而变得高于箝位电压(Vc(＝4V))时，场效应晶体管(8)关断。相应地，输出电压(Vout)被限制到最大为箝位电压。因此，响应速度比使用二极管等的传统电压箝位电路的响应速度要高。

公开(公告)号：CN100365466C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610005477.4

申请日：2006-01-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明 ,  中村淳一 ,  中山信一

IPC: G02B26/10

CPC classification number: G02B26/085 ,  G02B26/105

Abstract: 本发明公开一种光扫描装置。将光从发光元件(22B)朝着可绕轴线(L2)进行角变位的扫描反射镜(11)的厚度方向的表面(31)出射。第一和第二受光部(14A，14B)的至少其中一方，接受从发光元件(22B)出射并被反射反射镜(50B)反射的光。第一和第二受光部(14A，14B)以及信号输出部(24)，输出包含表示接受所述光的位置的位置信息的电信号。该位置信息，表示扫描反射镜(11)的角变位量，驱动部(21)基于该位置信息来使扫描反射镜(11)扫描，并能够使从第一光源(12)出射的光照射在预定的照射位置上。

公开(公告)号：CN102725840B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。

公开(公告)号：CN101853831A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010159435.2

申请日：2010-03-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/49505 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48824

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备：具有第一引线(6)、第二引线(7)和第三引线(8)的引线框(1)。功率晶体管(2)配置在第一引线(6)上，功率晶体管(2)与第一引线(6)连接。功率晶体管(2)在第一引线(6)侧的相反侧具有漏极电极，该漏极电极与功率晶体管(2)上的Cu片(3)连接。Cu片(3)经由Al导线(4)而与第二引线(7)连接。由此，在将Al导线(4)进行引线接合时，由引线接合引起的冲击能够被Cu片(3)吸收、由引线接合引起的压力能够被Cu片(3)分散、由引线接合引起的热能够被Cu片(3)扩散。

公开(公告)号：CN101324639A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125982.1

申请日：2008-06-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野崎义明 ,  川村博史 ,  约翰·K·特怀南 ,  长谷川正智

IPC: G01R13/32

CPC classification number: G01R1/06766 ,  G01R31/2621

Abstract: 提供了一种电压箝位电路以及分别使用该电压箝位电路的半导体器件、过流保护电路、电压测量探头、电压测量设备和半导体评估设备。在电压箝位电路(1)中，具有负阈电压(－2V)的常通型场效应晶体管(8)具有连接到输入节点(N8)的漏极、连接到输出节点(N9)并经由电阻元件(9)接地的源极、以及被供应有可变直流电源(10)的输出电压(2V)的栅极。当输出节点(N9)处的电压由于电阻元件(9)的电压降而变得高于箝位电压(Vc(＝4V))时，场效应晶体管(8)关断。相应地，输出电压(Vout)被限制到最大为箝位电压。因此，响应速度比使用二极管等的传统电压箝位电路的响应速度要高。