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公开(公告)号：CN106574895A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043413.0
申请日：2015-08-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 森淳
IPC: G01N21/33
CPC classification number: G01N33/188 , G01N21/3103 , G01N21/33 , G01N21/532 , G01N21/59 , G01N21/85 , G01N2021/3188
Abstract: 本发明公开了一种用于测量流体中的特定离子、分子或原子的浓度的传感器，所述传感器包括用于提供至少一些流体的样本处理部分、第一光电检测装置和第一光源。第一光电检测装置被构造为测量入射在其上的光的功率，并且第一光源包括固态发光装置。第一光源被构造为发出入射在由样本处理部分所提供的流体上的具有小于240纳米波长的光，并且第一光电检测装置被构造为接收已经通过流体的光。
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公开(公告)号：CN106574895B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201580043413.0
申请日：2015-08-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 森淳
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了一种用于测量流体中的特定离子、分子或原子的浓度的传感器，所述传感器包括用于提供至少一些流体的样本处理部分、第一光电检测装置和第一光源。第一光电检测装置被构造为测量入射在其上的光的功率，并且第一光源包括固态发光装置。第一光源被构造为发出入射在由样本处理部分所提供的流体上的具有小于240纳米波长的光，并且第一光电检测装置被构造为接收已经通过流体的光。
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公开(公告)号：CN106574896A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043599.X
申请日：2015-08-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 萨米尔·里阿尼 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
IPC: G01N21/33 , A61B10/00 , G01N21/64 , G01N33/497
CPC classification number: G01N33/497 , A61B5/082 , G01N21/0303 , G01N21/031 , G01N21/0332 , G01N21/05 , G01N21/27 , G01N21/314 , G01N21/33 , G01N21/645 , G01N21/6486 , G01N2021/052 , G01N2021/3181 , G01N2021/6469 , G01N2033/4975 , G01N2201/062 , G01N2201/0627
Abstract: 一种用于测量气体混合物的组分的浓度的测量装置，包括：腔室，所述腔室用于容纳气体混合物；光源，所述光源将光发射到所述腔室中，其中所发射的光具有从230nm到320nm的波长；光传感器，所述光传感器检测来自所述光源的光的已经传播通过气体混合物的一部分。处理器被构造为基于由所述光传感器检测到的从所述光源发射的光的所述一部分来确定气体混合物的组分的浓度。光源可以包括一个或多个LED，每个LED具有从270nm到320nm的光发射的中心波长和小于50nm的线宽。该装置可以用于确定呼出气中的丙酮浓度，该丙酮浓度可以指示糖尿病或其他健康状况。
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公开(公告)号：CN101369531B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810210944.6
申请日：2008-08-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 凯瑟琳·路易斯·史密斯 , 马修·泽维尔·先尼 , 斯图尔特·爱德华·胡帕
CPC classification number: H01L31/101 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01S5/3412 , H01S5/34333 , H01S5/4087
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104730799B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410803329.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 卡尔·彼得·韦尔纳
IPC: G02F1/35
CPC classification number: G02F1/37 , F21K9/64 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02F1/3501 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F2001/3503 , H01S5/0092 , H01S5/32341
Abstract: 将非线性频率转换(NLFC)部件(26)结合到光源(20)中。光源包括：发光元件(21)，其发射非衍射受限的输入光束；以及NLFC部件，其表现出走离并且执行NLFC处理，例如二次谐波产生。光学部件(25)配置为将非衍射受限输入光束以确定的会聚半角会聚到NLFC部件中。在NLFC部件的非走离平面中在空气中的会聚半角大于针对衍射受限光的会聚半角。所述会聚半角可以是乘积ε×M乘以针对衍射受限光的会聚半角值，其中ε的值在等于0.4与二者中较大者的较低值与较高值5.0之间，其中M是非衍射受限光的光束质量因子的平方根。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104730799A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410803329.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 卡尔·彼得·韦尔纳
IPC: G02F1/35
CPC classification number: G02F1/37 , F21K9/64 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02F1/3501 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F2001/3503 , H01S5/0092 , H01S5/32341
Abstract: 将非线性频率转换(NLFC)部件(26)结合到光源(20)中。光源包括：发光元件(21)，其发射非衍射受限的输入光束；以及NLFC部件，其表现出走离并且执行NLFC处理，例如二次谐波产生。光学部件(25)配置为将非衍射受限输入光束以确定的会聚半角会聚到NLFC部件中。在NLFC部件的非走离平面中在空气中的会聚半角大于针对衍射受限光的会聚半角。所述会聚半角可以是乘积ε×M乘以针对衍射受限光的会聚半角值，其中ε的值在等于0.4与二者中较大者的较低值与较高值5.0之间，其中M是非衍射受限光的光束质量因子的平方根。
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公开(公告)号：CN102403427A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110273975.8
申请日：2011-09-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 马修·泽维尔·先尼 , 陈伟新 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0095 , H01S5/0425 , H01S5/2086 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体发光器件包括设置在衬底上的半导体层结构。层结构包括置于第一层和第二层之间的有源区。一个或更多个空腔存在于层结构中，每个空腔与穿透位错相对应，并从层结构的上表面至少延伸穿过第二层和有源区。去除穿透位错所在处的材料提供了对穿透位错用作非辐射中心的趋势的有效抑制，由此改善了器件的光输出效率。该器件可以通过在一个或更多个穿透位错的部位处选择性蚀刻层结构以在所述部位或每个部位处形成引导空腔的第一步骤来制造。应用第二蚀刻步骤，以增加每个引导空腔的深度。
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公开(公告)号：CN102344164B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201110211652.6
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: H01L33/06 , C01B21/0615 , C01B21/0632 , C01B21/072 , C09K11/623 , H01L31/032 , H01L33/26 , Y02E10/549 , Y10S977/773
Abstract: 本申请提供氮化物半导体纳米粒子，例如纳米晶体，所述纳米粒子由II-III-N类型的新化合物半导体家族形式的新组成物质制成，所述化合物为例如ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN和ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体纳米晶体以前在现有技术中是未知的。本发明还公开了II-N半导体纳米晶体，例如ZnN纳米晶体，它是II-III-N类半导体纳米晶体的一个子类。可以控制新的并且新颖的II-III-N化合物半导体纳米晶体的组成和尺寸以便设计它们的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，并且可以用作LED和发射EL显示器用的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN102344165A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211685.0
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: C09K11/623 , C09K11/625 , C09K11/642 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种Zn-(II)-III-N类型的化合物半导体家族形式的新组成的物质，这里III表示周期表第III族中的一种或多种元素并且(II)表示周期表第II族中的一种或多种任选的其它元素。此家族中的成员包括：例如，ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN或ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体材料以前在现有技术中是未知的。可以控制新的Zn-(II)-III-N化合物半导体材料的组成以便设计它的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到了证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，以及作为用于LED和发射EL显示器的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN102344164A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211652.6
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: H01L33/06 , C01B21/0615 , C01B21/0632 , C01B21/072 , C09K11/623 , H01L31/032 , H01L33/26 , Y02E10/549 , Y10S977/773
Abstract: 本申请提供氮化物半导体纳米粒子，例如纳米晶体，所述纳米粒子由II-III-N类型的新化合物半导体家族形式的新组成物质制成，所述化合物为例如ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN和ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体纳米晶体以前在现有技术中是未知的。本发明还公开了II-N半导体纳米晶体，例如ZnN纳米晶体，它是II-III-N类半导体纳米晶体的一个子类。可以控制新的并且新颖的II-III-N化合物半导体纳米晶体的组成和尺寸以便设计它们的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，并且可以用作LED和发射EL显示器用的发光磷光体材料。
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