公开(公告)号：CN112687467A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011107683.2

申请日：2020-10-16

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 志村哲生 ,  萩原智也 ,  猪又康之

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本申请涉及一种陶瓷电子器件，其包括层叠结构，其中电介质层和内部电极层交替层叠，其中电介质层的主要组分是(Ba,Sr,Ca)(Zr,Ti)O3，其中在电介质层中的至少一个晶粒中Ba浓度和Ca浓度有变化。

公开(公告)号：CN102725244B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080051822.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 波多野桂一 ,  小林圭介 ,  萩原智也 ,  清水宽之 ,  土信田豊

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/43 ,  C04B35/00 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/02031 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/12 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/178 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种虽然晶体结构的转变点存在于动作保证温度的范围内，也能减少急剧的静电电容变化的含碱铌酸系压电陶瓷组成物，本发明的以Li、Na、K、Nb、Ta、Sb及O为主构成元素，且具有含碱铌酸系钙钛矿结构的压电陶瓷组成物，在将ABO3型钙钛矿结构设为Z＝1的单位晶格的情况下，具有从单斜晶系向正方晶系的晶体结构的转变点。由此，具备如下特征：为了利用所述晶体结构的转变点的MPB较高的压电效应，在-50℃～150℃范围内虽然具有晶体结构的转变点，但始终为ΔC＞0。

公开(公告)号：CN102725244A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080051822.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 波多野桂一 ,  小林圭介 ,  萩原智也 ,  清水宽之 ,  土信田豊

IPC: C04B35/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/107 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24 ,  H02N2/00 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02031 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/12 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/178 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种虽然晶体结构的转变点存在于动作保证温度的范围内，也能减少急剧的静电电容变化的含碱铌酸系压电陶瓷组成物，本发明的以Li、Na、K、Nb、Ta、Sb及O为主构成元素，且具有含碱铌酸系钙钛矿结构的压电陶瓷组成物，在将ABO3型钙钛矿结构设为Z＝1的单位晶格的情况下，具有从单斜晶系向正方晶系的晶体结构的转变点。由此，具备如下特征：为了利用所述晶体结构的转变点的MPB较高的压电效应，在-50℃～150℃范围内虽然具有晶体结构的转变点，但始终为ΔC＞0。

公开(公告)号：CN112242256B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202010691234.0

申请日：2020-07-17

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 猪又康之 ,  萩原智也 ,  金田和巳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H05K1/18 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供DC偏压特性优异、并且在电介质层的厚度变小的情况下也能够确保高可靠性的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(10)包括由电介质层(17)和内部电极层(18)交替地层叠而得到的层叠体(20)。电介质层(17)含有(Ba(1‑x‑y)CaxSry)m(Ti(1‑z)Zrz)O3，其中，0.03≤x≤0.16，0≤y≤0.02，0＜z≤0.02，0.99≤m≤1.02，相对于100mol的(Ba(1‑x‑y)CaxSry)m(Ti(1‑z)Zrz)O3，通过元素换算，电介质层(17)还含有1.0～4.0mol的Re氧化物、0.2～2.5mol的Mg化合物、0.1～1.0mol的Mn化合物、0.1～2.0mol的Zr化合物、0.05～0.3mol的V化合物和0.2～5.0mol的Si化合物，其中Re为稀土类元素。

公开(公告)号：CN112687467B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202011107683.2

申请日：2020-10-16

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 志村哲生 ,  萩原智也 ,  猪又康之

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本申请涉及一种陶瓷电子器件，其包括层叠结构，其中电介质层和内部电极层交替层叠，其中电介质层的主要组分是(Ba,Sr,Ca)(Zr,Ti)O3，其中在电介质层中的至少一个晶粒中Ba浓度和Ca浓度有变化。

公开(公告)号：CN113628879A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110494085.3

申请日：2021-05-07

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 斋藤裕太 ,  萩原智也

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及并提供电介质、电子器件和层叠陶瓷电容器。本发明的电介质包括具有双晶结构的核‑壳粒子，其中核‑壳粒子的双晶结构的界面从一侧的壳延伸，穿过核，并延伸到另一侧的壳。根据本发明，电介质、电子器件和层叠陶瓷电容器可具有改善的可靠性。

公开(公告)号：CN112242256A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010691234.0

申请日：2020-07-17

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 猪又康之 ,  萩原智也 ,  金田和巳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H05K1/18 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供DC偏压特性优异、并且在电介质层的厚度变小的情况下也能够确保高可靠性的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(10)包括由电介质层(17)和内部电极层(18)交替地层叠而得到的层叠体(20)。电介质层(17)含有(Ba(1‑x‑y)CaxSry)m(Ti(1‑z)Zrz)O3，其中，0.03≤x≤0.16，0≤y≤0.02，0＜z≤0.02，0.99≤m≤1.02，相对于100mol的(Ba(1‑x‑y)CaxSry)m(Ti(1‑z)Zrz)O3，通过元素换算，电介质层(17)还含有1.0～4.0mol的Re氧化物、0.2～2.5mol的Mg化合物、0.1～1.0mol的Mn化合物、0.1～2.0mol的Zr化合物、0.05～0.3mol的V化合物和0.2～5.0mol的Si化合物，其中Re为稀土类元素。