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公开(公告)号：CN115401196B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110593696.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F1/17 , B22F1/07 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种双金属材料及其制备方法和双金属膏体和互连方法，本发明通过对双金属颗粒进行表面改性，在溶液中将二者进行混合使其发生静电吸附形成具有包覆结构的双金属颗粒溶液，分离后得到双金属材料。所述双金属材料包括纳米金属颗粒和微米金属颗粒，所述双金属材料为核壳结构，微米金属颗粒作为内核，纳米金属颗粒作为壳层，纳米金属颗粒包覆在微米金属颗粒上。所述双金属材料可以应用于微电子封装的互连工艺。
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公开(公告)号：CN115348742A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522574.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K3/10 , H05K3/18 , H05K3/22 , H05K3/24 , H05K3/26 , B22F7/08 , B22F3/105 , C25D5/18 , C25D7/00
Abstract: 本申请提供了一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，其中，方法包括以下步骤：获取线路板上待处理位置；在所述待处理位置置入纳米烧结材料，并在纳米烧结材料上滴注脉冲电镀溶液；在脉冲电镀溶液上设置金属探针，对金属探针和线路板接入脉冲电压，对纳米烧结材料进行加热和表面电镀，利用激光对纳米烧结材料进行烧结处理；清洁所述线路板，并对线路板进行表面处理；本申请实施例提供的一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，从而极大地提高了纳米材料的烧结效率，有效提高了线路的成型或修复效率，并能有效提高线路的成型或修复质量。
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公开(公告)号：CN114035268B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111550624.7
申请日：2021-12-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于集成光子器件领域，特别涉及一种光交叉波导单元，包括平板形光波导和至少两个条形光波导组，每个条形光波导组包括两个条形光波导，两个条形光波导分别为输入条形光波导和输出条形光波导；平板形光波导包括至少两个全内反射镜组，全内反射镜组与条形光波导组一一对应设置，每个全内反射镜组包括多个全内反射镜，每个全内反射镜组用于把对应的条形光波导组中的输入条形光波导输入的光波全部引导至相应的输出条形光波导；输入条形光波导的输出端和输出条形光波导的输入端伸入平板形光波导的下方且与平板形光波导之间具有间隙，间隙的厚度为0.01μm‑0.2μm。该结构大大减少了光波能量的损失，保证了交叉波导的低能量损耗。
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公开(公告)号：CN113488490A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110628766.4
申请日：2021-06-07
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L27/146 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构及其制作方法，其中，制作方法包括以下步骤：提供覆铜板，并对覆铜板表面进行刻蚀和粗化处理，在覆铜板两侧表面设置介质薄膜层；在覆铜板上制作穿塑通孔，并在穿塑通孔中填充导电材料以及在两介质薄膜层外表面上制作重布线层；在一介质薄膜层顶面设置围坝，以及在该介质薄膜层上的重布线层上固定芯片；对另一介质薄膜层上的重布线层进行植球回流处理；将围坝对正插入光学系统构件上的沟槽，并通过涂胶将光学系统构件固定。该制作方法有效简化生产难度、流程，并有效提高封装体制作效率；其次，通过设置围坝替代现有的底座支架来对接光学系统构件，简化了光学系统构件安装对位流程。
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公开(公告)号：CN113223778A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110602170.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法包括以下步骤：取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；移除加压板；清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例提供的成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。
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公开(公告)号：CN115348742B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110522574.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K3/10 , H05K3/18 , H05K3/22 , H05K3/24 , H05K3/26 , B22F7/08 , B22F3/105 , C25D5/18 , C25D7/00
Abstract: 本申请提供了一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，其中，方法包括以下步骤：获取线路板上待处理位置；在所述待处理位置置入纳米烧结材料，并在纳米烧结材料上滴注脉冲电镀溶液；在脉冲电镀溶液上设置金属探针，对金属探针和线路板接入脉冲电压，对纳米烧结材料进行加热和表面电镀，利用激光对纳米烧结材料进行烧结处理；清洁所述线路板，并对线路板进行表面处理；本申请实施例提供的一种基于纳米金属脉冲电致烧结的线路处理方法，从而极大地提高了纳米材料的烧结效率，有效提高了线路的成型或修复效率，并能有效提高线路的成型或修复质量。
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公开(公告)号：CN115475937A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110593680.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种铜颗粒快速包覆银壳的方法，铜颗粒前处理使用硝酸溶液清洗铜颗粒，得到含有无氧化层铜颗粒的悬浊液，再加入中和溶液及络合剂除去中和过程中可能会产生的氢氧化铜等，再加入银盐和络合剂的包覆液，再将包覆后的颗粒清洗分离取出，完成铜颗粒快速包覆。本发明使用硝酸溶液、碱性中和液和络合剂对进行颗粒前处理，使颗粒在前处理后无需进一步从体系中分离出来即可接后续的包覆，大大简化了工艺，降低颗粒在前处理完成后被再次氧化产生氧化层的风险。
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公开(公告)号：CN113347811B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110654033.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种多层导电薄片三维结构成型方法，包括以下步骤：设计或获取三维线路结构模型，将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型；根据拆分后的二维线路模型，分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板；根据三维线路结构模型结构，将多个线路板对位层叠，连接成组合体；将组合体置于酸性介质中，根据引线设计位置，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔；该成型方法有效简化了三维结构的导电片的制备过程，同时通过激光诱导酸性介质腐蚀获取线孔，相比传统的激光打孔方式，本申请实施例的线孔形成过程更温和，且能有效控制打孔深度，聚焦温度要求远低于激光打孔的温度要求，有效降低设备门槛。
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公开(公告)号：CN114695254B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210608078.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/60 , G03F7/00
Abstract: 本申请属于集成电路制造技术领域，公开了一种集成电路制备方法，包括步骤：A1.通过微纳结构压印技术在一载板上形成最下层的线路层；A2.循环执行至少一次以下步骤：A201.通过微纳结构压印技术在上一层线路层上设置具有导电结构的第二介电层，所述导电结构用于导通相邻的两层线路层；A202.通过微纳结构压印技术在所述第二介电层上设置下一层线路层；A3.在最上层的线路层上贴装芯片，并进行塑封；A4.拆除所述载板，并对最下层的线路层进行植球处理；从而能够提高集成电路的生产效率并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114035268A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111550624.7
申请日：2021-12-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于集成光子器件领域，特别涉及一种光交叉波导单元，包括平板形光波导和至少两个条形光波导组，每个条形光波导组包括两个条形光波导，两个条形光波导分别为输入条形光波导和输出条形光波导；平板形光波导包括至少两个全内反射镜组，全内反射镜组与条形光波导组一一对应设置，每个全内反射镜组包括多个全内反射镜，每个全内反射镜组用于把对应的条形光波导组中的输入条形光波导输入的光波全部引导至相应的输出条形光波导；输入条形光波导的输出端和输出条形光波导的输入端伸入平板形光波导的下方且与平板形光波导之间具有间隙，间隙的厚度为0.01μm‑0.2μm。该结构大大减少了光波能量的损失，保证了交叉波导的低能量损耗。
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