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公开(公告)号：CN104508842A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040592.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，该多个半导体层在其第一半导体层所位于的一面设置有生长基板去除面；支撑基板，该支撑基板设置有第一电力路径和第二电力路径，第一电力路径和第二电力路径从第二面连接到第一面；结合层，该结合层将该支撑基板的第一面侧与多个半导体层的第二半导体层侧结合，并且与第一电力路径电链接；结合层去除面，该结合层去除面形成在第一面上，露出第二电力路径，并且朝向多个半导体层开口；以及电链接件，该电链接件用于将多个半导体层与露出在结合层去除面上的第二电力路径连接，使得电子或空穴中的一方被转移到多个半导体层。
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公开(公告)号：CN107112403A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580063313.4
申请日：2015-10-22
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开涉及半导体元件用支承基板的制造方法、通过该方法而制造的半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法(SUPPORTING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE，SEMICONDUCTOR APPARATUS WITH THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)，半导体元件用支承基板的制造方法的特征在于，包括如下步骤：准备第一基板，该第一基板具备第一面及与第一面相对的第二面；在第一基板形成从第一面侧朝向第二面侧的槽；在槽形成导电部；在第一面侧，将第二基板结合到第一基板；及在第二面侧以与导电部导通的方式形成第一导电焊盘。
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公开(公告)号：CN104508842B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201380040592.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，该多个半导体层在其第一半导体层所位于的一面设置有生长基板去除面；支撑基板，该支撑基板设置有第一电力路径和第二电力路径，第一电力路径和第二电力路径从第二面连接到第一面；结合层，该结合层将该支撑基板的第一面侧与多个半导体层的第二半导体层侧结合，并且与第一电力路径电链接；结合层去除面，该结合层去除面形成在第一面上，露出第二电力路径，并且朝向多个半导体层开口；以及电链接件，该电链接件用于将多个半导体层与露出在结合层去除面上的第二电力路径连接，使得电子或空穴中的一方被转移到多个半导体层。
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公开(公告)号：CN103828078A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280044379.5
申请日：2012-07-17
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L31/0232 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元的下部中形成有电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元的下部中形成有电流供应层，该电流供应层与所述第二发光单元相连接；连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于电连接所述第一发光单元和所述第二发光单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104508841A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039741.4
申请日：2013-07-26
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：支撑基板，该支撑基板具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；形成在所述第一侧上的具有多个半导体层的至少一个半导体叠层；结合层，其用于将该多个半导体层中的第二半导体层结合到支撑基板的第一侧；以及结合层去除面，其形成在该第一侧上，并且朝向所述多个半导体层开口，并且被布置成向该多个半导体层提供电流。
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公开(公告)号：CN113491020A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080016376.5
申请日：2020-02-28
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
IPC: H01L41/314 , H01L41/187 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/316 , H01L41/317 , H01L41/047
Abstract: 本公开涉及制造高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法以及利用该方法的高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜及利用该薄膜的装置(Method of manufacturing AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)piezoelectric thin films with high purity and their apparatus using the thin film)，其中，制造高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法包括：在蓝宝石成膜基板形成牺牲层的步骤；以及在牺牲层上生长AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤，其中，在生长AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤之前，还包括：形成由AlyGa1‑yN(0.5≤y≤1)构成的第一半导体层的步骤。
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公开(公告)号：CN104508841B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201380039741.4
申请日：2013-07-26
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：支撑基板，该支撑基板具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；形成在所述第一侧上的具有多个半导体层的至少一个半导体叠层；结合层，其用于将该多个半导体层中的第二半导体层结合到支撑基板的第一侧；以及结合层去除面，其形成在该第一侧上，并且朝向所述多个半导体层开口，并且被布置成向该多个半导体层提供电流。
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公开(公告)号：CN103476684A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280017661.4
申请日：2012-05-07
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
CPC classification number: B05B11/3042 , B05B11/0037 , B05B11/0059
Abstract: 本发明涉及一种液体排出容器，其为液体容纳体，并且包括：主体，在所述主体中容纳有液体，并且所述主体具有第一室、第二室以及颈部，所述第二室形成在所述第一室的下方，所述颈部位于所述第一室和所述第二室之间以便阻挡所述第一室和所述第二室之间的液体运动；以及喷头，所述喷头联接至所述主体并且具有延伸到所述第一室下方的软管。
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公开(公告)号：CN113228312A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086537.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 安相贞
Inventor： 安相贞
Abstract: 本公开涉及半导体发光器件(LIGHT EMITTING DEVICE)，包括：具备电极的半导体发光芯片；模具，其形成为具有第一表面粗糙度，并且具有用于放置半导体发光芯片的底面部，在底面部形成有贯通孔，贯通孔的表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度，至少与半导体发光芯片相对的一侧由对于从半导体发光芯片发出的光具有95％以上的反射率的材质构成；以及导电部，其为了与电极的电气性连通，设置于贯通孔。
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