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公开(公告)号：CN104251758B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410302783.9
申请日：2014-06-27
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103946672B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280056285.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G05B15/02 , G01D3/0365
Abstract: 本发明中，第1获取部(111)获取物理量传感器(101)的初始输出值。第2获取部(112)获取物理量传感器(101)的目标输出值。第1计算部(113)基于物理量传感器(101)的初始输出值以及目标输出值来计算出2次的第1特性式并提取出第1特性值，该2次的第1特性式表示物理量传感器(101)的修正后的输出特性。第2计算部(114)基于规定温度及第1特性值计算出用于修正第1特性值的2次的第2特性式，并提取出第2特性值。运算部(104)基于将第2特性值输入第2特性式来进行修正后的第1特性式，计算出物理量传感器(101)的修正后的输出值。由此，能提高修正精度，降低成本，并能实现处理速度的高速化。
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公开(公告)号：CN103946672A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280056285.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G05B15/02 , G01D3/0365
Abstract: 本发明中，第1获取部(111)获取物理量传感器(101)的初始输出值。第2获取部(112)获取物理量传感器(101)的目标输出值。第1计算部(113)基于物理量传感器(101)的初始输出值以及目标输出值来计算出2次的第1特性式并提取出第1特性值，该2次的第1特性式表示物理量传感器(101)的修正后的输出特性。第2计算部(114)基于规定温度及第1特性值计算出用于修正第1特性值的2次的第2特性式，并提取出第2特性值。运算部(104)基于将第2特性值输入第2特性式来进行修正后的第1特性式，计算出物理量传感器(101)的修正后的输出值。由此，能提高修正精度，降低成本，并能实现处理速度的高速化。
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公开(公告)号：CN104736984B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201380054665.4
申请日：2013-11-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 植松克之
CPC classification number: G01L19/0084 , G01L9/0052 , G01L19/0069 , G01L19/0654 , H01L23/057 , H01L23/24 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05K13/00 , Y10T29/49171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01007
Abstract: 在形成于树脂壳体(1)的凹状的传感器安装部(2)内收纳传感器单元(10)。传感器单元(10)是将半导体压力传感器芯片(11)与玻璃底座(12)的一侧接合而成，通过粘接剂(13)将玻璃底座(12)的另一侧贴片到传感器安装部(2)的底部。半导体压力传感器芯片(11)上的电极焊盘经由键合线(4)与贯通树脂壳体(1)而一体地嵌件成型的外部导出用的引线端子(3)电连接。利用由含氟的聚对二甲苯系聚合物构成的保护膜(5)覆盖传感器单元(10)、引线端子(3)的露出于树脂壳体(1)内部的部分、键合线(4)、树脂壳体(1)的内壁(1a)的露出部分(也包括传感器安装部(2)的内壁)的整个表面。由此，能够提高压力传感器装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN104736984A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054665.4
申请日：2013-11-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 植松克之
CPC classification number: G01L19/0084 , G01L9/0052 , G01L19/0069 , G01L19/0654 , H01L23/057 , H01L23/24 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05K13/00 , Y10T29/49171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01007
Abstract: 在形成于树脂壳体(1)的凹状的传感器安装部(2)内收纳传感器单元(10)。传感器单元(10)是将半导体压力传感器芯片(11)与玻璃底座(12)接合而成，通过粘接剂(13)将玻璃底座(12)侧贴片到传感器安装部(2)的底部。半导体压力传感器芯片(11)上的电极焊盘经由键合线(4)与贯通树脂壳体(1)而一体地嵌件成型的外部导出用的引线端子(3)电连接。利用由含氟的聚对二甲苯系聚合物构成的保护膜(5)覆盖传感器单元(10)、引线端子(3)的露出于树脂壳体(1)内部的部分、键合线(4)、树脂壳体(1)的内壁(1a)的露出部分(也包括传感器安装部(2)的内壁)的整个表面。由此，能够提高压力传感器装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN104251758A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410302783.9
申请日：2014-06-27
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01L9/0052 , F02D41/1448 , G01L9/0045 , G01L9/0055 , H01L2224/05 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。
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