公开(公告)号：CN104170079B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201380014851.5

申请日：2013-08-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平 ,  西泽龙男

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/4006 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L23/049 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法，用于提高半导体装置的散热性。通过紧固连接半导体装置10与散热部件80，从而半导体装置10，相对于散热部件80以收纳区域51的边缘部52为支点，图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。据此，金属基板40与散热部件80之间的热传导材料81扩展得更薄，金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且，扩展到金属基板40的外侧的热传导材料81填埋金属基板40的周围，金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热部件80的半导体装置10的散热性提高。

公开(公告)号：CN104170079A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380014851.5

申请日：2013-08-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平 ,  西泽龙男

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/4006 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L23/049 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法，用于提高半导体装置的散热性。通过紧固连接半导体装置10与散热部件80，从而半导体装置10，相对于散热部件80以收纳区域51的边缘部52为支点，图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。据此，金属基板40与散热部件80之间的热传导材料81扩展得更薄，金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且，扩展到金属基板40的外侧的热传导材料81填埋金属基板40的周围，金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热部件80的半导体装置10的散热性提高。

公开(公告)号：CN111512434A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201980006691.7

申请日：2019-02-06

Applicant: 富士电机株式会社 ,  同和金属技术有限公司

Inventor： 西田祐平 ,  百瀬文彦 ,  出野尭 ,  北村征宽

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/28

Abstract: 提供绝缘性基板与密封树脂之间的接合性进一步提高的半导体模块及其制造方法。该半导体模块(50)包括：绝缘性基板(23)；电路图案(24)，其形成于该绝缘性基板上；半导体元件(25、26)，其接合于该电路图案上；以及密封树脂(28)，其密封所述绝缘性基板、所述电路图案以及所述半导体元件。而且，该半导体模块(50)的特征在于，对于所述绝缘性基板的表面(23a)的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.15μm以上，在宽度3μm的范围内求得的平均粗糙度为0.02μm以上。

公开(公告)号：CN105190876B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480011892.3

申请日：2014-05-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平 ,  西泽龙男 ,  田中才工

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/4822 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种能够进行牢固的引线键合、量产性优异、小型且低成本的半导体装置及其制造方法。通过利用粘接树脂(8)来牢固地固定端子(15)的突出部(15e)的背面(15b)与框体(7)的内壁(7d)，从而可利用引线(13)来对端子(15)与半导体芯片(11)进行牢固的引线键合，进而能够提供量产性优异且低成本的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN110429073A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910256955.6

申请日：2019-04-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 能够提供一种避免了由于焊料的过度的浸润而产生的不良状况的高质量的半导体模块以及半导体模块的制造方法。半导体模块具备：金属板(2)；设置于金属板(2)之上的焊料(3)；搭载于焊料(3)之上的接合对象部件(半导体芯片(4))；以及3条引导部(2a1～2a3)，其呈线状地设置于金属板(2)的上表面上且接合对象部件(半导体芯片(4))的周围。3条引导部(2a1～2a3)具有与周边区域相比表面粗糙度大的金属表面。

公开(公告)号：CN105190876A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480011892.3

申请日：2014-05-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平 ,  西泽龙男 ,  田中才工

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/4822 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种能够进行牢固的引线键合、量产性优异、小型且低成本的半导体装置及其制造方法。通过利用粘接树脂(8)来牢固地固定端子(15)的突出部(15e)的背面(15b)与框体(7)的内壁(7d)，从而可利用引线(13)来对端子(15)与半导体芯片(11)进行牢固的引线键合，进而能够提供量产性优异且低成本的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN117378047A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037808.X

申请日：2022-11-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平 ,  塩原真由美

IPC: H01L25/07

Abstract: 提供一种半导体模块，其具备：第一开关元件，设置在上臂和下臂中的一方；第二开关元件，设置在上臂和下臂中的另一方；第一二极管元件，与第一开关元件并列设置；第二二极管元件，与第二开关元件并列设置；层叠基板，其主面具有沿预先确定的第一方向和第二方向延伸的两边；以及栅极外部端子和辅助源极外部端子，设置在比上臂和下臂更靠第一方向的负侧的位置且沿第二方向排列，第一开关元件、第二开关元件、第一二极管元件和第二二极管元件设置在层叠基板上，第一开关元件和第一二极管元件中的至少一个与第二开关元件和第二二极管元件中的至少一个在第二方向上对置地设置。

公开(公告)号：CN111512434B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201980006691.7

申请日：2019-02-06

Applicant: 富士电机株式会社 ,  同和金属技术有限公司

Inventor： 西田祐平 ,  百瀬文彦 ,  出野尭 ,  北村征宽

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/28

Abstract: 提供绝缘性基板与密封树脂之间的接合性进一步提高的半导体模块及其制造方法。该半导体模块(50)包括：绝缘性基板(23)；电路图案(24)，其形成于该绝缘性基板上；半导体元件(25、26)，其接合于该电路图案上；以及密封树脂(28)，其密封所述绝缘性基板、所述电路图案以及所述半导体元件。而且，该半导体模块(50)的特征在于，对于所述绝缘性基板的表面(23a)的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.15μm以上，在宽度3μm的范围内求得的平均粗糙度为0.02μm以上。

公开(公告)号：CN115394730A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210540168.6

申请日：2022-05-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西田祐平

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供半导体装置，其抑制配置有电阻元件的绝缘电路基板的散热性的降低。半导体装置具有：电阻元件(7)和绝缘电路基板(2)，电阻元件(7)包括金属块(7a)、设置于金属块(7a)上的树脂层(7b)以及设置于树脂层(7b)上的电阻膜(7c)，绝缘电路基板(2)包括绝缘板(3)和电路图案(4a)，电路图案(4a)设置于绝缘板(3)上且在正面具备接合电阻元件(7)的金属块(7a)的背面的接合区域，电路图案在俯视时面积比电阻元件(7)的正面的面积宽阔。此时，金属块(7a)的厚度比电路图案(4a)的厚度厚。由此，金属块(7a)能够将来自电阻元件(7)的电阻膜(7c)的热适当地传导至电路图案(4a)。