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公开(公告)号：CN119834053A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411983543.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01S5/028 , H01S5/02345 , H01S5/20
Abstract: 本申请属于激光器技术领域，公开了一种电注入锗锡激光器芯片及其制作方法。该激光器芯片包括提供一GOI晶圆；在GOI晶圆的表面形成外延结构，外延结构包括在GOI晶圆上依次叠设的第一电极层、锗锡有源层和第二电极层；在外延结构上刻蚀凹槽，以形成台面结构；在凹槽的侧壁上形成钝化层；在位于第一电极层的钝化层上形成第一开口，并在第一开口中形成底部电极；在位于第二电极层的钝化层形成第二开口，并在第二开口中形成顶部电极。本申请的激光器芯片可以降低界面处的阈值电流密度，增强激光器的光输出性能。
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公开(公告)号：CN119815944A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411936243.6
申请日：2024-12-26
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H10F30/225 , H10F77/14 , H10F77/124 , H10F77/122 , H10F71/00
Abstract: 本申请公开了一种中远红外单光子雪崩光电二极管结构及制备方法，包括：Si衬底；Ge缓冲层、GaAs缓冲层和InP缓冲层,依次设置于所述Si衬底上；n+InP接触层，设置于所述缓冲层上；i‑InP雪崩层，设置于所述n+InP接触层上；p‑InP电荷层，设置于所述雪崩层上；i‑高Sn含量GeSn吸收层，设置于所述电荷层上；p+GeSn接触层，设置于吸收层上。本申请采用与高Sn含量GeSn吸收区晶格匹配的InP材料作为雪崩区，降低GeSn SPAD器件中雪崩区与吸收区之间的晶格失配，能够将GeSn SPAD器件的截止波长拓展至中远红外波段。
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公开(公告)号：CN118969810A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411427388.3
申请日：2024-10-14
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/0392 , H01L31/107
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种基于玻璃衬底的SPADs图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的玻璃衬底、氧化硅层、氧化铝层、P型重掺杂砷化镓层、本征砷化镓可见光传感层、本征锗系短波红外传感层、P型电荷层、多雪崩层、N型重掺杂锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽；矩形凹槽依次贯穿N型重掺杂锗层、多雪崩层、P型电荷层、本征锗系短波红外传感层和本征砷化镓可见光传感层；钝化层均匀覆盖在N型重掺杂锗层和各矩形凹槽的内壁上。本申请能够将SPADs图像传感器的光谱响应范围扩展到390nm‑1700nm。
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公开(公告)号：CN115527923A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211182967.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：提供包括依次叠置的背衬底、埋氧化层以及顶层的叠层衬底，其中，顶层的材料包括Ⅳ族锗化物；在顶层远离埋氧化层的表面上形成晶体管；在背衬底远离埋氧化层的表面上形成背栅极。本申请解决了现有技术中SOI晶体管中的顶层硅影响器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN115527922A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211182953.5
申请日：2022-09-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/762 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括依次叠置的蓝宝石衬底以及顶硅层；在顶硅层的裸露表面上形成预备牺牲层；对预备牺牲层以及顶硅层依次进行离子注入以及退火操作，退火操作后的顶硅层形成硅化物层，退火操作后的预备牺牲层形成牺牲层；去除牺牲层。该方法通过在具有薄的顶硅层和蓝宝石衬底的基底上形成预备牺牲层，以减小后续离子注入对形成硅化物层的晶格损伤，还可以使得硅化物层中注入离子分布均匀，从而提升硅化物层的晶体质量，进而解决了现有技术中半导体结构的载流子迁移速率较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119855234A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411992509.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，公开了一种射频绝缘体上锗晶圆及其制造方法。该方法包括形成施主衬底，施主衬底包括依次层叠的硅衬底、刻蚀阻挡层、锗层和负电容材料层；形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的RF‑SOI衬底和二氧化硅层；将施主衬底的负电容材料层与受主衬底的二氧化硅层进行晶圆键合；去除硅衬底；去除刻蚀阻挡层，得到射频绝缘体上锗晶圆。通过该方法制备的射频绝缘体上锗晶圆具有优异的信号传输性能。
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公开(公告)号：CN119584661A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411680109.4
申请日：2024-11-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H10F39/12 , H10F39/18 , H10F77/124
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种三波段的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的衬底层、氧化硅层、氧化铝层、第一电极层、紫外光传感层、可见光传感层、红外光传感层、第二电极层和钝化层；多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿第二电极层、红外光传感层、可见光传感层和紫外光传感层；紫外光传感层采用本征砷化铝材料；可见光传感层采用本征砷化镓材料；红外光传感层采用本征斜切6度的锗系材料；钝化层均匀覆盖在第二电极层和各个矩形凹槽的内壁上；本申请能够解决现有技术中三种传感层之间存在的晶格失配和极性失配问题，降低制造成本，适用于批量化生产。
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公开(公告)号：CN118969810B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411427388.3
申请日：2024-10-14
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H10F39/12 , H10F77/30 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F30/225
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种基于玻璃衬底的SPADs图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的玻璃衬底、氧化硅层、氧化铝层、P型重掺杂砷化镓层、本征砷化镓可见光传感层、本征锗系短波红外传感层、P型电荷层、多雪崩层、N型重掺杂锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽；矩形凹槽依次贯穿N型重掺杂锗层、多雪崩层、P型电荷层、本征锗系短波红外传感层和本征砷化镓可见光传感层；钝化层均匀覆盖在N型重掺杂锗层和各矩形凹槽的内壁上。本申请能够将SPADs图像传感器的光谱响应范围扩展到390nm‑1700nm。
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公开(公告)号：CN118943153B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411412686.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：读出电路、钝化层、N型电极和P型电极，以及依次叠加的第二硅衬底、热氧层、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、P型电荷层、本征锗量子阱层、本征锗层和N型重掺杂锗层，以及多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽；P型电荷层的长度小于预设间隔，数量大于0且小于矩形凹槽的数量减1；N型电极穿过钝化层连接P型重掺杂锗层；P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层；各N型电极和各P型电极均与读出电路连接。本申请能够同时处理强光信号和弱光信号，拓展了图像传感器的动态响应范围，使其能够适应更广泛的应用场景。
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公开(公告)号：CN118943153A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411412686.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：读出电路、钝化层、N型电极和P型电极，以及依次叠加的第二硅衬底、热氧层、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、P型电荷层、本征锗量子阱层、本征锗层和N型重掺杂锗层，以及多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽；P型电荷层的长度小于预设间隔，数量大于0且小于矩形凹槽的数量减1；N型电极穿过钝化层连接P型重掺杂锗层；P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层；各N型电极和各P型电极均与读出电路连接。本申请能够同时处理强光信号和弱光信号，拓展了图像传感器的动态响应范围，使其能够适应更广泛的应用场景。
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