-
公开(公告)号：CN116949421A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310837902.X
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·沙丽 , 托马斯·奈斯利 , 本杰明·施密格 , 大卫·汤普森
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/56
Abstract: 兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
-
公开(公告)号：CN110892507B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880046778.2
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·沙丽 , 托马斯·奈斯利 , 本杰明·施密格 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
-
公开(公告)号：CN110832625B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880043565.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 一种选择性蚀刻包括多种金属氧化物的基板表面的工艺包括：将该基板表面暴露于卤化剂，且然后将该基板表面暴露于配位基转移剂。所述多种金属氧化物中的金属的蚀刻速率实质上一致。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791913A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780059692.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。
-
公开(公告)号：CN110892507A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046778.2
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·沙丽 , 托马斯·奈斯利 , 本杰明·施密格 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
-
公开(公告)号：CN110832625A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880043565.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 一种选择性蚀刻包括多种金属氧化物的基板表面的工艺包括：将该基板表面暴露于卤化剂，且然后将该基板表面暴露于配位基转移剂。所述多种金属氧化物中的金属的蚀刻速率实质上一致。
-
公开(公告)号：CN110622284B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201880028187.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。
-
公开(公告)号：CN110622284A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880028187.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.038 seconds)
