公开(公告)号：CN119072768A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380034539.6

申请日：2023-03-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许智勋 ,  岳诗雨 ,  雷蔚 ,  徐翼 ,  吕疆 ,  雷雨 ,  熊子逸 ,  杨宗翰 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  张洁 ,  吴立其 ,  汪荣军 ,  陈世忠 ,  吴孟珊 ,  王俊杰 ,  安娜马莱·雷克什马南 ,  杨逸雄 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。