公开(公告)号：CN101796481B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880105071.0

申请日：2008-08-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伯特·Z·巴克拉克 ,  蔡容基 ,  崔寿永 ,  尼古拉斯·G·J·德弗里 ,  雅科夫·埃尔格 ,  埃里克·A·恩格尔哈特 ,  米歇尔·R·弗赖 ,  查尔斯·盖伊 ,  帕里斯·霍金斯 ,  乔伊·胡 ,  詹姆斯·克雷格·亨特 ,  潘查拉·N·坎卡纳拉 ,  李利伟 ,  温·胡·罗 ,  丹尼·卡姆·托恩·鲁 ,  方·梅 ,  斯蒂芬·P·墨菲 ,  斯鲁杰尔·帕特尔 ,  马修·J·B·桑德斯 ,  阿萨夫·施莱辛格 ,  盛殊然 ,  苏杰发 ,  杰弗里·S·沙利文 ,  戴维·坦纳 ,  特雷莎·特罗布里奇 ,  布赖斯·沃克 ,  约翰·M·怀特 ,  泰·K·王

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/67236 ,  B23K26/364 ,  B26F3/002 ,  B26F3/004 ,  B65G49/064 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/03 ,  C03B33/033 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/075 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/548 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49355 ,  Y10T29/5196 ,  Y10T29/53113 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/5317 ,  Y10T29/53187 ,  Y10T29/53365 ,  Y10T29/53417 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/325 ,  Y10T225/329

Abstract: 本发明涉及利用适以在形成太阳能电池的处理中执行一或多个步骤的处理模块来形成光电装置或太阳能电池的系统。自动化太阳能电池工厂一般配置有用来形成太阳能电池的自动化处理模块和自动化设备。此自动化太阳能电池工厂因此大致包含一基板接收模块，用来接收基板；一或多个吸收层沉积群集工具，具有至少一个处理腔室可沉积含硅层在基板表面上；一或多个背接触沉积腔室；一或多个材料移除腔室；太阳能电池封装装置；热压釜模块；自动化接线箱附接模块；和一或多个质量确保模块，适以测试及合格化已完全形成的太阳能电池装置。

公开(公告)号：CN110168749A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082518.6

申请日：2017-11-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金庆泰 ,  周素镐 ,  北村典彦 ,  阿部忍 ,  盛殊然

IPC: H01L31/18

Abstract: 在一个实施方式中，提供了腔室，所述腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和所述盖限定内部容积；框架，所述框架在所述内部容积内，所述框架被设定尺寸以接收在第一取向上的多个衬底；以及旋转驱动组件，所述旋转驱动组件耦接到所述框架以用于旋转所述框架并将所述多个衬底中的每个衬底翻转到与所述第一取向不同的第二取向。

公开(公告)号：CN101542745B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200880000178.9

申请日：2008-07-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 盛殊然 ,  蔡容基 ,  崔寿永 ,  元泰景 ,  李立伟

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施例一般涉及太阳能电池及其形成方法和设备。更具体地，本发明实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和设备。本发明实施例还包括改良的薄膜硅太阳能电池及其形成方法和设备，其中太阳能电池中一个或更多个层包括至少一个非晶硅层，该至少一个非晶硅层具有改良的电性与机械性能，并能够以比传统非晶硅沉积处理快上许多倍的速率沉积。

公开(公告)号：CN114746989A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082546.X

申请日：2020-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉尔夫·彼得·安东尼奥 ,  盛殊然 ,  林·张 ,  约瑟夫·C·沃纳

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H05B3/00 ,  G01J1/42

Abstract: 本文提供了用于检测紫外光的方法和设备。例如，紫外(UV)处理腔室包括：真空窗或透明喷头；UV光源，设置在真空窗或透明喷头的一个的上方，并配置成产生UV光并将UV光传送到UV处理腔室的处理空间中；和第一UV传感器，配置成测量来自UV光源的发射率或传送到处理空间中的UV光的辐照度的至少一个，并在操作期间将与来自UV光源的发射率或UV光的辐照度的所测量的至少一个相对应的信号传送到耦合到UV处理腔室的控制器。

公开(公告)号：CN102714228A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061832.4

申请日：2010-12-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 大卫·谭纳尔 ,  海恩-敏·胡·勒 ,  全成(托米)·顾 ,  盛殊然 ,  蔡永基 ,  再-发(杰夫)·苏 ,  王大鹏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67736 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种用以形成太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中，光伏装置包括：抗反射涂覆层，其设置在衬底的第一表面上；阻挡层，其设置在衬底的第二表面上；第一透明导电氧化物层，其设置在阻挡层上；导电接触层，其设置在第一透明导电氧化物层上；第一p-i-n结，其形成在导电接触层上；以及第二透明导电氧化物层，其形成在第一p-i-n结上。

公开(公告)号：CN102356474A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201080012538.4

申请日：2010-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 盛殊然 ,  蔡容基 ,  斯蒂芬·克莱因 ,  阿米尔·阿拉-巴亚提 ,  巴斯卡·库马

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种用以形成太阳能电池的方法及设备。在一实施例中，一种光伏器件包含：第一TCO层，所述第一TCO层设置在基板上；第二TCO层，所述第二TCO层设置在所述第一TCO层上；以及p-型含硅层，所述p-型含硅层形成在所述第二TCO层上。在另一实施例中，一种形成光伏器件的方法包含以下步骤：在基板上形成第一TCO层；在所述第一TCO层上形成第二TCO层；以及在所述第二TCO层上形成第一p-i-n结。

公开(公告)号：CN113924387A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080037702.0

申请日：2020-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 盛殊然 ,  林·张 ,  黄际勇 ,  约瑟夫·C·沃纳 ,  斯坦利·吴 ,  马赫什·阿迪纳特·卡纳瓦德 ,  陈奕凯 ,  宜兴·林 ,  英玛

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44

Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染。

公开(公告)号：CN109690728B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201780055121.8

申请日：2017-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 盛殊然 ,  阿部忍 ,  桑原庆太 ,  崔苏河

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器，所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。

公开(公告)号：CN119422237A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380049598.0

申请日：2023-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 盛殊然 ,  埃里克·霍拉 ,  林淑芬 ,  杨羽 ,  拉尔夫·P·安东尼奥 ,  刘古

IPC: H01L21/67 ,  B08B7/00

Abstract: 连续实时监控晶片处理结果的方法和系统。在一些实施方式中，一种系统可以包括至少一个非活性腔室，非活性腔室具有至少一个馈通进出端口，馈通进出端口被配置为与计量设备相互作用。馈通进出端口具有暴露于非活性腔室的内部空间的表面并且具有覆盖表面的氟基涂层。非活性腔室具有通向一个或多个其他腔室的晶片进出端口。计量设备定位在非活性腔室的外部并且被定向为通过馈通进出端口之一检测计量数据。数据收集设备连接到计量设备，且数据收集设备被配置为连续地从计量设备接收数据。

公开(公告)号：CN117043387A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280021015.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 盛殊然 ,  林·张 ,  黄际勇 ,  吴昌锡 ,  约瑟夫·C·沃纳 ,  尼汀·库拉纳 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  詹妮弗·Y·孙 ,  韩新海 ,  蒋志军

IPC: C23C16/44

Abstract: 本文公开的示例关于清洁及修复其中设置有加热器的基板支撑件的方法及设备。一种方法包括：(a)清洁具有块体层的基板支撑件的表面，基板支撑件设置在被配置为处理基板的处理环境中。清洁处理包括在高温下从具有含氟气体及氧的清洁气体混合物形成等离子体。该方法包括：(b)利用由处理气体混合物形成的处理等离子体从处理环境移除氧自由基。该处理气体混合物包括含氟气体。此方法进一步包括：(c)利用后处理等离子体修复基板支撑件与块体层的界面。该后处理等离子体由包括含氮气体的后处理气体混合物所形成。该高温大于或等于约500℃。