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公开(公告)号：CN107532297A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022766.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。
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公开(公告)号：CN112877675A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110047033.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。
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公开(公告)号：CN112877675B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110047033.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431924B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 张镁 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN107532297B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201680022766.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。
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公开(公告)号：CN107533962B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201680025185.9
申请日：2016-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768
Abstract: 本文中提供选择性沉积金属硅化物层的方法。在一些实施方式中，一种方法包括：(a)使基板暴露于前驱物气体，该前驱物气体包含金属卤化物，该基板具有第一层，该第一层包含第一表面和形成在该第一表面中的特征，该特征包含开口，该开口由一个或更多个侧壁和底表面界定，其中该侧壁包含氧化硅或氮化硅，并且其中该底表面包含硅或锗中的至少之一；(b)使用惰性气体净化该处理腔室中的该前驱物气体；(c)使该基板暴露于含硅气体，该含硅气体包含硅烷或硅烷的衍生物；(d)使用惰性气体净化该处理腔室中的该含硅气体；(e)重复(a)‑(d)以沿着该底表面选择性沉积金属硅化物到预定厚度；以及(f)在沉积该金属硅化物层之后对该基板进行退火。
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公开(公告)号：CN108431924A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 唐薇 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN107533962A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025185.9
申请日：2016-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76855
Abstract: 本文中提供选择性沉积金属硅化物层的方法。在一些实施方式中，一种方法包括：(a)使基板暴露于前驱物气体，该前驱物气体包含金属卤化物，该基板具有第一层，该第一层包含第一表面和形成在该第一表面中的特征，该特征包含开口，该开口由一个或更多个侧壁和底表面界定，其中该侧壁包含氧化硅或氮化硅，并且其中该底表面包含硅或锗中的至少之一；(b)使用惰性气体净化该处理腔室中的该前驱物气体；(c)使该基板暴露于含硅气体，该含硅气体包含硅烷或硅烷的衍生物；(d)使用惰性气体净化该处理腔室中的该含硅气体；(e)重复(a)‑(d)以沿着该底表面选择性沉积金属硅化物到预定厚度；以及(f)在沉积该金属硅化物层之后对该基板进行退火。
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