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公开(公告)号：CN119404285A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047957.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 雷雨 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 维卡什·班西埃 , 维克多·H·卡尔德隆 , 杜诗薇 , 李雍信 , 阿尼迪塔·森
IPC: H01J37/32
Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施例中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以限定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。
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公开(公告)号：CN110574149B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201880028186.8
申请日：2018-08-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及平衡环组件，该平衡环组件包括平衡环板、枢轴螺丝、一个或多个马达及多个整平指示器，该平衡环板具有中心开口，该枢轴螺丝设置在于该平衡环板中形成的枢轴座内，其中该枢轴螺丝包含球形枢轴头，该平衡环板绕该球形枢轴头枢转，所述一个或多个马达耦接到该平衡环板，所述一个或多个马达被构造成提供绕该球形枢轴头的原位平衡环板运动，该多个整平指示器被构造成确定该平衡环板的偏转。
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公开(公告)号：CN116097028A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180052845.3
申请日：2021-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德
IPC: F16K51/02
Abstract: 本文描述的实施方式涉及一种用于半导体处理的阀。该阀包括阀体，该阀体具有由膜片体隔开的入口导管和出口导管。膜片体包括电机、联接至电机的传动联接件、围绕固定板并由动态密封件隔开的能旋转的环、以及通过相应的能枢转的紧固件可移动地联接至能旋转的环的一个或多个闸板，其中该能旋转的环联接至该传动联接件，其中该固定板包括开口并且所述一个或多个闸板相对于该开口是可移动的。
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公开(公告)号：CN115516616A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033050.8
申请日：2021-04-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/44 , H01J37/32
Abstract: 描述了气体分配组件和包括气体分配组件的处理腔室。气体分配组件包括气体分配板、盖、和主要O形环。将主要O形环放置于气体分配板的第一接触表面的净化通道和第二接触表面之间。描述了使用公开的气体分配组件密封处理腔室的方法。
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公开(公告)号：CN111587481A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201980008203.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 雷雨 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 维卡什·班西埃 , 维克多·H·卡尔德隆 , 陶世伟 , 李永新 , 阿尼迪塔·森
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110062954A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780073548.0
申请日：2017-11-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本揭示案的实施方式关于用于与腔室内加热器及基板旋转机构一起使用的处理配件。在与本揭示案一致的一些实施方式中，用于与可旋转基板支撑件加热器台座一起使用以用于在处理腔室中支撑基板的处理配件可包含：上方边缘环，所述上方边缘环包含顶部突出部和从所述顶部突出部向下延伸的裙部；下方边缘环，所述下方边缘环至少部分支撑所述上方边缘环且使所述上方边缘环与所述基板支撑件加热器台座对准；底板，所述底板设置于所述处理腔室的底部上，所述底板在所述基板支撑件加热器台座处于降低的非处理位置时支撑所述上方边缘环；以及遮蔽环，所述遮蔽环在所述基板支撑件加热器台座处于升高的处理位置时与所述上方边缘环耦接。
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公开(公告)号：CN107532297A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022766.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。
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公开(公告)号：CN102132382A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132709.4
申请日：2009-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 德米特里·鲁博弥尔斯克
IPC: H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45591 , C04B35/581 , C04B40/0092 , C23C16/4404 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , H01J37/32449 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/28556
Abstract: 本文提供关于氮化铝挡板的方法与设备。在某些实施例中，一用在半导体处理腔室中的挡板可包括主体，其包含氮化铝和金属氧化物粘结剂，其中在主体表面上的氮化铝与金属氧化物粘合剂的比率大于或等于主体内部的比率。在某些实施例中，主体可具有中心杆和外部环形物，其耦合至中心杆下部并从此处向外径向延伸。在某些实施例中，挡板的制造方法可包含烧结铝、氮和金属氧化物粘结剂，以形成挡板的主体，主体具有过量的金属氧化物粘结剂配置在其表面上；及从主体表面移除大量的过量金属氧化物粘结剂。
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公开(公告)号：CN111587481B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201980008203.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 雷雨 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 维卡什·班西埃 , 维克多·H·卡尔德隆 , 陶世伟 , 李永新 , 阿尼迪塔·森
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。
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公开(公告)号：CN110603630B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201880028147.8
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 马里奥·丹·桑切斯 , 张铀 , 威廉·W·匡 , 维诺德·康达·普拉斯 , 曼朱纳塔·科帕
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及一种快速断接电阻温度检测器(RTD)加热器组件，其包括：第一组件，第一组件包括基座、基座轴杆、适配器、一或多个加热器电源终端及至少一个RTD；及第二组件，第二组件包括旋转模块及缆线组件，旋转模块具有中心开口，缆线组件部分设置在中心开口中并牢固地固定至旋转模块，其中第一组件可拆卸地耦合到第二组件，其中缆线组件包括一或多个电源插座，当第一及第二组件耦合在一起时，电源插座接收加热器电源终端，且其中缆线组件包括一或多个弹簧加载的RTD销，当第一及第二组件耦合在一起时，弹簧加载的RTD销接触到设置在第一组件中的至少一个RTD。
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