公开(公告)号：CN104012185A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280062489.4

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

公开(公告)号：CN103766005A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042408.4

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  S·拉乌夫 ,  K·S·柯林斯 ,  N·米斯拉 ,  J·D·卡达希 ,  G·勒雷 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669

Abstract: 周期性地切换环绕等离子体反应器的处理区域的电子束源阵列以改变电子束传播方向并消除或降低不均匀性。

公开(公告)号：CN103748970A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280041424.1

申请日：2012-10-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  S·拉乌夫 ,  K·S·柯林斯 ,  N·米斯拉 ,  J·D·卡达希 ,  G·勒雷 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3233 ,  H01J2237/06366

Abstract: 依赖电子束作为等离子体源的等离子体反应器在电子束源中使用剖面式电子束析取网格以改良均匀性。

公开(公告)号：CN111801767B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201980015906.1

申请日：2019-02-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·勒雷

IPC: H01J37/32

Abstract: 用于将射频(RF)功率供应至处理腔室的方法与设备。RF产生器经配置为具有能力以独立于参考频率由RF功率输出操作或使RF输出功率与参考频率同步。在频率位于解锁状态中时，使用时钟匀变改变RF输出功率的RF功率输出频率以与参考频率匹配。在RF功率输出频率到达参考频率时，RF功率输出可被锁定至参考频率。

公开(公告)号：CN111801767A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201980015906.1

申请日：2019-02-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·勒雷

IPC: H01J37/32

Abstract: 用于将射频(RF)功率供应至处理腔室的方法与设备。RF产生器经配置为具有能力以独立于参考频率由RF功率输出操作或使RF输出功率与参考频率同步。在频率位于解锁状态中时，使用时钟匀变改变RF输出功率的RF功率输出频率以与参考频率匹配。在RF功率输出频率到达参考频率时，RF功率输出可被锁定至参考频率。

公开(公告)号：CN104012185B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280062489.4

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本文中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

公开(公告)号：CN105340059B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480034383.2

申请日：2014-05-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·N·托多罗 ,  G·勒雷 ,  M·D·威尔沃斯 ,  L-S·蒋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例，该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制，并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统，以及期望控制等离子体位置的其它应用。在一个实施例中，配置成用于半导体处理装置的电极组件包括：RF导电连接器；以及导电构件，该导电构件具有电连接至该RF导电连接器的第一端，其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。

公开(公告)号：CN105340059A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480034383.2

申请日：2014-05-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·N·托多罗 ,  G·勒雷 ,  M·D·威尔沃斯 ,  L-S·蒋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32532 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4645 ,  H05H2001/4667

Abstract: 提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例，该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制，并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统，以及期望控制等离子体位置的其它应用。在一个实施例中，配置成用于半导体处理装置的电极组件包括：RF导电连接器；以及导电构件，该导电构件具有电连接至该RF导电连接器的第一端，其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。

公开(公告)号：CN103766003A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041425.6

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  S·拉乌夫 ,  K·S·柯林斯 ,  N·米斯拉 ,  J·D·卡达希 ,  G·勒雷 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3233 ,  G21K5/00 ,  H05H1/46 ,  H05H7/001

Abstract: 一种在工作件处理腔室中通过电子束产生等离子体的等离子体反应器，该等离子体反应器具有电子束源及分段束收集器，该分段束收集器是剖面式的以促进电子束产生的等离子体中的均匀性。

公开(公告)号：CN103168506A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180050326.X

申请日：2011-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·勒雷 ,  S·拉乌夫 ,  V·N·托多罗

IPC: H05H1/40 ,  H01F7/06 ,  H01F27/28

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32669

Abstract: 本文提供用于形成磁场的装置及所述装置的使用方法。在一些实施例中，具有基本上相似尺寸的多个线圈以对称的图案围绕处理腔室安置，所述对称的图案以所述处理腔室的中心轴为中心，其中所述多个线圈经配置以产生磁场，所述磁场具有多个磁场线，所述多个磁场线基本上为同一平面的且基本上平行的。在一些实施例中，所述多个线圈包含八个线圈，所述八个线圈围绕所述处理腔室安置，其中所述八个线圈中的每一个线圈相对于所述八个线圈中的各个相邻线圈偏移约45度的角度。