公开(公告)号：CN113302717A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201980088876.7

申请日：2019-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蒋志钧 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·罗伊巴曼 ,  H·湖尻 ,  韩新海 ,  D·帕德希 ,  C·Y·王 ,  陈玥 ,  D·R·本杰明拉吉 ,  N·S·乔拉普尔 ,  V·N·T·恩古耶 ,  M·S·方 ,  J·A·奥拉夫 ,  T·C·林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种形成具有减少的缺陷的膜堆叠的方法，并且所述方法包括：将基板定位在处理腔室内的基板支撑件上；以及依序沉积多晶硅层和氧化硅层以在基板上产生膜堆叠。所述方法还包括：在处理腔室内生成沉积等离子体的同时向等离子体分布调制器供应大于5安培(A)的电流；在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时将基板暴露于沉积等离子体；以及在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时，将处理腔室维持在大于2托到约100托的压力下。

公开(公告)号：CN116324022A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070005.X

申请日：2021-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨传曦 ,  H·俞 ,  Y·杨 ,  C·Y·王 ,  A·邱 ,  韩新海 ,  S·G·卡马斯 ,  D·帕德希

IPC: C23C16/34

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。

公开(公告)号：CN114424325A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080067068.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  H·俞 ,  胡可嵩 ,  K·恩斯洛 ,  尾方正树 ,  王文佼 ,  C·Y·王 ,  杨传曦 ,  J·马赫 ,  P·L·梁 ,  Q·E·中 ,  A·杰恩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  D·帕德希 ,  S·李

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。