公开(公告)号：CN108140578B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201680061712.1

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·萨利 ,  田中启一 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  M·斯里拉姆 ,  B·J·布扬 ,  P·曼纳 ,  D·汤普森 ,  A·肖特

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。

公开(公告)号：CN116097407A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202280003817.7

申请日：2022-03-03

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： M·科罗利克 ,  P·E·吉 ,  B·J·布扬 ,  J·苏迪约诺 ,  W·Y·D·杨 ,  洪家伟 ,  S·贾殷

IPC: H01L21/311

Abstract: 蚀刻含硅材料的示例性方法可包括：将含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域。所述方法可包括：在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括：将等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可定位于处理区域内。基板可包括穿过堆叠层而形成的沟槽，所述堆叠层包括氮化硅和氧化硅的交替层。所述方法可包括：在实质上维持氧化硅的同时，各向同性地蚀刻氮化硅的层。

公开(公告)号：CN110612596A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN118103959A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068200.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·J·布扬 ,  沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露来自在基板上形成的一个或多个层对的材料。方法可包括在完全穿透介电材料之前以及从在所述基板上形成的所有层对暴露材料之前中止蚀刻。方法可包括在来自具有暴露材料的一个或多个层对中的每一者的暴露材料上形成含碳材料层。方法可包括完全穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露在基板上形成的每个剩余层对的材料。

公开(公告)号：CN116892014A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202311003007.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C23C16/42

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN110612596B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN113936994A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111203384.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·汤普生 ,  M·萨利 ,  B·J·布扬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C07F7/00

Abstract: 相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。

公开(公告)号：CN108140578A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061712.1

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·萨利 ,  田中启一 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  M·斯里拉姆 ,  B·J·布扬 ,  P·曼纳 ,  D·汤普森 ,  A·肖特

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76224

Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。

公开(公告)号：CN107533951A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025233.4

申请日：2016-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·汤普生 ,  M·萨利 ,  B·J·布扬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C07F7/00

CPC classification number: H05K1/0296 ,  C07F7/00 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  G03G15/50 ,  G03G15/80 ,  G03G21/1652 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67207 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/117 ,  H05K3/4015 ,  H05K3/403 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10363

Abstract: 相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。

公开(公告)号：CN118020398A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280063651.8

申请日：2022-08-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·J·布扬 ,  沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。方法可包括在完全穿透形成在基板上的层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。