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公开(公告)号：CN112136202A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033026.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , S·卡坦布里 , M·G·库尔卡尼 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , V·K·普拉巴卡尔 , 爱德华四世·P·哈蒙德 , J·C·罗查
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。
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公开(公告)号：CN113056807B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN114375486A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN113939893A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080040862.0
申请日：2020-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , D·R·本杰明拉吉 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查 , G·E·奇可卡诺夫 , 韩新海 , 尾方正树 , K·恩斯洛 , 王文佼
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括面向面板的第一表面的挡板。在挡板和第一表面之间的距离是恒定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114375486B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN112136202B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980033026.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , S·卡坦布里 , M·G·库尔卡尼 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , V·K·普拉巴卡尔 , 爱德华四世·P·哈蒙德 , J·C·罗查
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。
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公开(公告)号：CN113924386A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040111.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 在一个实例中，一种工艺腔室包括：盖组件、第一气体供应、第二气体供应、腔室主体、以及基板支撑件。所述盖组件包括气体箱、穿过所述气体箱的气体导管、挡板、以及喷头。所述气体箱包括气体分配气室和分配板，所述分配板包括多个孔洞，所述多个孔洞与所述气体分配气室对齐。所述挡板耦接所述气体箱而形成第一气室。所述喷头耦接所述挡板而形成第二气室。所述第一气体供应耦接所述气体分配气室，且所述第二气体供应系统耦接气体导管。所述腔室主体耦接所述喷头，并且所述基板支撑组件设置在所述腔室主体的内部空间内，并且经配置在处理期间支撑基板。
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公开(公告)号：CN113939893B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080040862.0
申请日：2020-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , D·R·本杰明拉吉 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查 , G·E·奇可卡诺夫 , 韩新海 , 尾方正树 , K·恩斯洛 , 王文佼
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括面向面板的第一表面的挡板。在挡板和第一表面之间的距离是恒定的。
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公开(公告)号：CN113056807A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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