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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107142460A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710537333.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN103959484B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201280054453.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0257 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN107142460B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201710537333.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN103959484A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280054453.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0257 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN101310039B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780000130.3
申请日：2007-05-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/31612
Abstract: 本文描述将氧化硅层沉积于基材上的方法。所述方法可包括将基材提供至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引入沉积室中的多个步骤。所述方法亦可包括将硅前驱物引入至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而将氧化硅层形成于基材上，所沉积的氧化硅层可被退火。本文亦描述用来将氧化硅层沉积于基材上的系统。
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