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公开(公告)号：CN107142460A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710537333.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN110943000A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910795028.1
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于消除CVD和图案化HVM系统的晶片弯曲的方法和设备。公开了一种用于在基板上形成背面涂层以抵消来自先前沉积的膜的应力的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于使弯曲基板变平的方法包括：提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠，其中所述基板包括弯曲取向；以及在所述基板的第二主表面上形成涂层，其中所述涂层被配置为抵消由所述膜堆叠产生的应力并使所述基板从所述弯曲取向变平。
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公开(公告)号：CN103959484B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201280054453.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0257 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN115398031B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180026629.1
申请日：2021-04-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括基板支撑件，基板支撑件定位在半导体处理室的处理区域内。腔室可包括盖板。腔室可包括定位在盖板和基板支撑件之间的气箱。气箱的特征可在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱可以限定中心孔。气箱可在气箱的第一表面中限定环形通道，环形通道围绕中心孔延伸穿过气箱。气箱可包含环形外罩，环形外罩跨限定在气箱第一表面中的环形通道延伸。腔室可以包括阻隔板，阻隔板定位于气箱与基板支撑件之间。腔室可包含铁氧体块，铁氧体块定位在盖板与阻隔板之间。
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公开(公告)号：CN104025304A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380004728.5
申请日：2013-01-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/677 , C23C16/54
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/547
Abstract: 本发明的实施方式一般涉及太阳能电池的制造且更具体地涉及用于提高Si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层。一般来说，包含缓冲层(中间层)的钝化层堆叠形成在基于硅的基板的表面上。在一个实施方式中，钝化层堆叠可形成在基板的背表面上。在另一实施方式中，钝化层堆叠形成在基板的背表面和基板的前发射区(光接收表面)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102396079A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080017092.4
申请日：2010-03-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供用于本征型微晶硅层的方法。一实施例中，藉由下列步骤制造微晶硅层：提供基板进入处理腔室，供应气体混合物进入处理腔室，在气体混合物中以第一模式施加RF功率，脉冲气体混合物进入处理腔室，并在经脉冲的气体混合物中以第二模式施加RF功率。
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公开(公告)号：CN107142460B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201710537333.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN103972327A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043823.2
申请日：2014-01-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L31/056 , H01L31/02167 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864
Abstract: 本发明的实施方式一般涉及用于制造光生伏打装置的方法，以及更具体地涉及用于原位清洗太阳能电池基板的方法。在一个实施方式中，提供了一种制造太阳能电池装置的方法。所述方法包括以下步骤：将单结晶硅基板或多结晶硅基板暴露于湿法清洗工艺，以清洗所述结晶基板的表面，将所述结晶硅基板装载入具有真空环境的处理系统；在所述处理系统的所述真空环境中，将所述结晶硅基板的至少一个表面暴露于原位清洗工艺；以及在所述处理系统中，在所述结晶硅基板的至少一个表面上形成一或多个钝化层。
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公开(公告)号：CN103959484A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280054453.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0257 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
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公开(公告)号：CN115398031A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026629.1
申请日：2021-04-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括基板支撑件，基板支撑件定位在半导体处理室的处理区域内。腔室可包括盖板。腔室可包括定位在盖板和基板支撑件之间的气箱。气箱的特征可在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱可以限定中心孔。气箱可在气箱的第一表面中限定环形通道，环形通道围绕中心孔延伸穿过气箱。气箱可包含环形外罩，环形外罩跨限定在气箱第一表面中的环形通道延伸。腔室可以包括阻隔板，阻隔板定位于气箱与基板支撑件之间。腔室可包含铁氧体块，铁氧体块定位在盖板与阻隔板之间。
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