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公开(公告)号：CN118400676A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410097623.9
申请日：2024-01-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电容性的MEMS型声换能器具有声音采集部分和换能部分。衬底区域包围第一腔，第一腔被布置在声音采集部分中并且朝向外部敞开；固定结构被耦合到衬底区域；帽区域被耦合到固定结构。敏感膜被布置在声音采集部分中，被耦合到固定结构，并且面向第一腔。换能腔被布置在换能部分中，相对于外部被密封地闭合，并且容纳检测膜。铰接结构穿过换能腔的壁在敏感膜与检测膜之间延伸。固定电极面向检测膜并且被电容性地耦合到检测膜。导电连接区域在衬底区域上方延伸到换能腔中。
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公开(公告)号：CN112004181B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010456894.0
申请日：2020-05-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有改进特性的压电微机电声学换能器及对应的制造工艺。一种压电微机电声学换能器，该压电微机电声学换能器具有：半导体衬底，该半导体衬底具有框架部分和由框架部分内部限定的通腔；主动膜，该主动膜悬置在通腔上方，并且通过锚固结构在其外围部分锚固到衬底的框架部分，由主动膜的前表面承载的多个压电传感元件用以检测主动膜的机械应力；被动膜，该被动膜悬置在通腔上方，在主动膜的下方，介于通腔和主动膜的后表面之间；以及柱元件，该柱元件固定地耦合主动膜和被动膜，并且被居中地插入在两者之间。通气孔穿过整个主动膜、被动膜和柱元件，使通腔与主动膜的前表面形成流体连通。
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公开(公告)号：CN116203716A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211518041.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 提供具有旋转屏蔽结构的微机电光学快门和相关制造工艺。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号：CN114823637A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210092662.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统。一种封装电子系统，其具有由绝缘有机衬底形成的支撑，所述绝缘有机衬底容纳浮置的掩埋导电区域。第一裸片固定在支撑件上，并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域。第二裸片固定在支撑件上，并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第二部分的第二裸片接触区域。封装质量块包围第一裸片、第二裸片、第一裸片接触区域、第二裸片接触区域和至少部分支撑。
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公开(公告)号：CN112004181A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010456894.0
申请日：2020-05-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有改进特性的压电微机电声学换能器及对应的制造工艺。一种压电微机电声学换能器，该压电微机电声学换能器具有：半导体衬底，该半导体衬底具有框架部分和由框架部分内部限定的通腔；主动膜，该主动膜悬置在通腔上方，并且通过锚固结构在其外围部分锚固到衬底的框架部分，由主动膜的前表面承载的多个压电传感元件用以检测主动膜的机械应力；被动膜，该被动膜悬置在通腔上方，在主动膜的下方，介于通腔和主动膜的后表面之间；以及柱元件，该柱元件固定地耦合主动膜和被动膜，并且被居中地插入在两者之间。通气孔穿过整个主动膜、被动膜和柱元件，使通腔与主动膜的前表面形成流体连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116896699A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310367376.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R1/02
Abstract: 本公开涉及膜微机电电声换能器。一种微机电电声换能器包括：半导体材料的支撑框架；半导体材料的膜，其沿周界连接到支撑框架并具有中心对称性；以及压电致动器，其在膜的周界部分上。膜具有围绕膜的中心布置的细长形状的贯通狭缝。
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公开(公告)号：CN116199178A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511741.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号：CN114373742A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111191134.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了具有改进形状的电极结构及包括该电极结构的电子器件。一种电极结构，包括：焊盘，由导电材料制成；以及导电条，具有物理地且电气地耦合到焊盘的第一端。焊盘包括在内部限定贯通开口的环形元件。导电条的第一端通过过渡区域物理地且电气地耦合到环形元件，使得当导电条由于热效应而膨胀时，应力通过过渡区域从导电条扩散到环形元件。
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公开(公告)号：CN110392331B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910319587.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电声学MEMS换能器及其制造方法。一种在半导体材料的本体中形成的压电MEMS换能器，其具有中心轴线和周边区域，并且包括多个梁、膜和柱，多个梁横向于中心轴线，多个梁并且具有被耦合到本体的周边区域的第一端和面向中心轴线的第二端，膜横向于中心轴线并且被布置在多个梁下方，柱与中心轴线平行，并且与梁的第二端和膜是刚性的。MEMS换能器还包括被布置在多个梁上的多个压电感应元件。
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公开(公告)号：CN112674390A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011117403.6
申请日：2020-10-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及可由流体致动并且可特别用于激活吸入器装置的防水开关。一种MEMS开关可由流体被致动，并且包括：压电压力传感器，检测生成负压的流体移动。压电压力传感器半导体材料的芯片和敏感膜形成，该压电压力传感器具有贯通腔，敏感膜在贯通腔之上延伸并且具有第一表面和第二表面。压电压力传感器被安装在具有贯通孔的板的面上，使得贯通腔覆盖贯通孔，并且贯通腔与贯通孔流体连接。板具有固定结构，固定结构使得板能够被固定在使第一空间和第二空间彼此分开的分隔壁的开口中。板被布置成使得敏感膜的第一表面面向第一空间，并且敏感膜的第二表面面向第二空间。
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