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公开(公告)号：CN110491939B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201910755947.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种氮化镓电子器件的复合介质结构，包括：低界面态介质插入层和高击穿电场介质层，低界面态介质插入层，生长在氮化镓电子器件表面上，高击穿电场介质层，生长在低界面态介质插入层上。本公开还提供了一种复合介质结构的制备方法，包括：将氮化镓电子器件放置于机台中，将机台的温度调节至第一预设温度，功率调节至第一预设功率，使用等离子体清洁氮化镓电子器件的表面，将机台的温度调节至第二预设温度，功率调节至第二预设功率，在氮化镓电子器件的表面生长低界面态介质插入层，将机台的温度调节至第三预设温度，功率调节至第三预设功率，在低界面态介质插入层上生长高击穿电场介质层。本公开可有效解决氮化镓电子器件表面界面缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN115763250A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111035455.3
申请日：2021-09-03
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种GaN基增强型功率晶体管的制备方法，包括：在衬底上依次制备(In，Ga)N缓冲层，Al(In，Ga)N薄势垒层，非掺杂(In，Ga)N盖帽层；刻蚀非栅极区域的非掺杂(In，Ga)N盖帽层，使得非栅极区域的Al(In，Ga)N薄势垒层暴露；在刻蚀完成的非掺杂(In，Ga)N盖帽层及暴露出的Al(In，Ga)N薄势垒层表面沉积钝化层；制作源极和漏极的欧姆接触；制作器件隔离；制作栅极金属。本发明对非掺杂(In，Ga)N盖帽层构成的异质结构全部或部分刻蚀，在栅极区域形成非掺杂(In，Ga)N盖帽层，结合盖帽层的反极化效应和薄势垒异质结构Al(In，Ga)N/(In，Ga)N的本征增强型特性实现高阈值GaN基增强型HEMT，有效避免了传统P型栅极GaN盖帽层制造工艺中存在的P型重掺杂和空穴注入不充分问题，显著提高了P型栅增强型HEMT的阈值稳定性。
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公开(公告)号：CN110491939A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910755947.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓电子器件的复合介质结构，包括：低界面态介质插入层和高击穿电场介质层，低界面态介质插入层，生长在氮化镓电子器件表面上，高击穿电场介质层，生长在低界面态介质插入层上。本公开还提供了一种复合介质结构的制备方法，包括：将氮化镓电子器件放置于机台中，将机台的温度调节至第一预设温度，功率调节至第一预设功率，使用等离子体清洁氮化镓电子器件的表面，将机台的温度调节至第二预设温度，功率调节至第二预设功率，在氮化镓电子器件的表面生长低界面态介质插入层，将机台的温度调节至第三预设温度，功率调节至第三预设功率，在低界面态介质插入层上生长高击穿电场介质层。本公开可有效解决氮化镓电子器件表面界面缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN108962976A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810706771.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/28 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/872 , B82Y40/00 , H01L21/28 , H01L29/0665 , H01L29/0684 , H01L29/417 , H01L29/66128 , H01L29/66212 , H01L29/8611
Abstract: 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件及其制备方法能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。
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公开(公告)号：CN108962976B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201810706771.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/28 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件及其制备方法能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807542A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810544039.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66712
Abstract: 本公开提供了一种GaN基垂直型功率晶体管器件及其制作方法；其中，所述GaN基垂直型功率晶体管器件，包括：N型GaN衬底；形成于N型GaN衬底上的N型GaN外延层；形成于N型GaN外延层上的Al(In，Ga)N背势垒层；形成于Al(In，Ga)N背势垒层上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构上的钝化层以及栅极和源极，形成于N型GaN衬底上的漏极。本公开GaN基垂直型功率晶体管器件及其制作方法有效降低了GaN基垂直型功率晶体管的工艺难度，从而使其兼容常规GaN基横向器件的工艺，推动了GaN基垂直型功率晶体管在更高电流和功率转换中的应用。
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公开(公告)号：CN210467851U
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201921327428.1
申请日：2019-08-15
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓电子器件的复合介质结构，包括：低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)，低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件上，高击穿电场介质层(2)，生长在低界面态介质插入层(1)上。本公开可有效解决氮化镓电子器件表面界面缺陷的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208873725U
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201821031401.3
申请日：2018-06-29
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/28 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209119111U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201820816541.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 捷捷半导体有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种GaN基垂直型功率晶体管器件；其中，所述GaN基垂直型功率晶体管器件，包括：N型GaN衬底；形成于N型GaN衬底上的N型GaN外延层；形成于N型GaN外延层上的Al(In，Ga)N背势垒层；形成于Al(In，Ga)N背势垒层上的薄势垒Al(In,Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In,Ga)N/GaN异质结构上的钝化层以及栅极和源极，形成于N型GaN衬底上的漏极。本公开GaN基垂直型功率晶体管器件有效降低了GaN基垂直型功率晶体管的工艺难度，从而使其兼容常规GaN基横向器件的工艺，推动了GaN基垂直型功率晶体管在更高电流和功率转换中的应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN119855188A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311337414.9
申请日：2023-10-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种低栅漏电的增强型GaN HEMT及其制备方法，其包括：衬底；以及设置在所述衬底上表面的势垒层；以及设置在所述势垒层上表面的p型掺杂GaN层；所述p型掺杂GaN层设有不贯穿其底部的凹槽；所述凹槽内设有n型掺杂GaN层；以及位于所述n型掺杂GaN层上表面的栅极；以及位于所述势垒层上表面的源极和漏极，并且所述栅极和漏极分别位于所述p型掺杂GaN层相对的两侧。本发明将超薄势垒与p‑GaN栅结合，使栅下的二维电子气进一步耗尽，可实现更高阈值电压的增强型器件，以及栅外区域沉积介质来恢复有源区的2DEG，实现低导通电阻，同时在p‑GaN上的凹槽外延n‑GaN，在栅极施加高栅压时，形成反向二极管结构，能有效地分担沟道层的电压，降低栅极漏电。
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