公开(公告)号：CN1821438A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610059588.3

申请日：2002-02-06

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 志堂寺荣治 ,  安藤英一 ,  山田朋广 ,  真下尚洋

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90％，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。

公开(公告)号：CN100545301C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200610059588.3

申请日：2002-02-06

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 志堂寺荣治 ,  安藤英一 ,  山田朋广 ,  真下尚洋

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90%，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。

公开(公告)号：CN1258616C

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN02804597.1

申请日：2002-02-06

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 志堂寺荣治 ,  安藤英一 ,  山田朋广 ,  真下尚洋

IPC: C23C14/34 ,  G02B5/28

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C14/547 ,  C23C14/568 ,  G02B1/10 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90%，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。

公开(公告)号：CN1491293A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804597.1

申请日：2002-02-06

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 志堂寺荣治 ,  安藤英一 ,  山田朋广 ,  真下尚洋

IPC: C23C14/34 ,  G02B5/28

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C14/547 ,  C23C14/568 ,  G02B1/10 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90％，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。