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公开(公告)号：CN107610996B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710513089.5
申请日：2017-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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公开(公告)号：CN113658844B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110696983.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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公开(公告)号：CN110060941B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201811210262.5
申请日：2015-12-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 安德鲁·杜瓦尔 , 瑞安·布拉基埃 , 尚卡·斯瓦米纳森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
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公开(公告)号：CN113658844A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110696983.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105719989B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510968227.X
申请日：2015-12-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 安德鲁·杜瓦尔 , 瑞安·布拉基埃 , 尚卡·斯瓦米纳森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4585 , H01J37/32623 , H01L21/68735 , H01L21/68785
Abstract: 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
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公开(公告)号：CN105719989A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510968227.X
申请日：2015-12-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 安德鲁·杜瓦尔 , 瑞安·布拉基埃 , 尚卡·斯瓦米纳森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4585 , H01J37/32623 , H01L21/68735 , H01L21/68785 , H01L21/6719 , C23C16/45525 , C23C16/4581
Abstract: 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
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公开(公告)号：CN118382919A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280082416.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 巴拉斯·库马尔·施萨拉曼 , 瑞安·布拉基埃
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , F16K27/02
Abstract: 一种衬底处理系统包括N个阀系统，其分别连接到N个站。每个阀系统包含：歧管块体、多个阀和流量控制设备。歧管块体包含接收处理气体和惰性气体的入口、连接至站的出口、以及被配置在所述歧管块体内并连接至所述入口和所述出口的多个气体流动通道。所述阀被安装至所述歧管块体并控制流过所述出口的所述处理气体和所述惰性气体的流量。所述流量控制设备被安装至所述歧管块体并控制流过所述歧管块体而到达所述N个站中的一站内的所述惰性气体的流量。所述N个阀系统中的每一个的所述流量控制设备被校准以平衡所述N个站中的所述惰性气体的所述流量。
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公开(公告)号：CN110060941A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811210262.5
申请日：2015-12-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 安德鲁·杜瓦尔 , 瑞安·布拉基埃 , 尚卡·斯瓦米纳森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
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公开(公告)号：CN107610996A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710513089.5
申请日：2017-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J2237/334
Abstract: 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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