公开(公告)号：CN114207767A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055744.7

申请日：2020-05-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  布莱恩·威廉姆斯 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  理查德·菲利普斯 ,  杨·诺亚 ,  约瑟夫·L·沃马克 ,  李明 ,  钱俊 ,  洪图 ,  斯凯·穆勒诺

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。

公开(公告)号：CN113678237A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080026510.X

申请日：2020-02-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  拉维·库马尔 ,  杨诺亚 ,  苏陈妙妙 ,  阿施施·索拉卜

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/033 ,  C23C16/458

Abstract: 提供衬底处理系统，其包括衬底支撑件、存储器、校准模块、操作参数模块和求解模块。衬底支撑件支撑衬底并且包括温度控制元件。存储器存储用于所述温度控制元件的温度校准值和灵敏度校准值。校准模块在所述温度控制元件的校准期间执行：第一校准过程，其用于确定所述温度校准值，或第二校准过程，其用于确定所述灵敏度校准值。所述灵敏度校准值用于将修整量或将沉积量中的至少一者关联至温度变化。操作参数模块基于所述温度校准值和所述灵敏度校准值来确定用于所述温度控制元件的操作参数。求解模块在所述温度控制元件的所述校准后，基于所述操作参数而在修整步骤或沉积步骤中的至少一者期间控制所述温度控制元件的操作。

公开(公告)号：CN113574634B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202080021649.5

申请日：2020-03-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉维·库马尔 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458

Abstract: 一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。

公开(公告)号：CN117488275A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311347357.2

申请日：2019-07-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  埃里克·拉塞尔·马德森

IPC: C23C16/455

Abstract: 在处理室内使用的喷头包括第一入口，该第一入口用于在该喷头中限定的内部充气腔的中心区域处接收来自第一源的第一气体。沿着喷头的外围区域限定多个第二入口，以用于接收来自第二源的第二气体。多个管道将边缘充气腔耦合到内部充气腔的外边缘，以便将第二气体供应到内部充气腔。第一气体产生从内部区域径向向外流到内部充气腔的外边缘的内部流，而由边缘充气腔供应的第二气体产生从内部充气腔的外边缘向内流向中心区域的周边流。在第一气体和第二气体的界面处形成限定能调节的半径的停滞点。多个出口限定在喷头的下表面上各处，并且延伸内部充气腔的直径，使得来自内部流的第一气体从中心区域直到停滞点离开多个出口，并且来自周边流的第二气体从停滞点到外边缘离开多个出口。

公开(公告)号：CN115605979A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180034834.2

申请日：2021-05-04

Applicant: 朗姆研究公司(US)

Inventor： 拉维·库马尔 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  阿德里安·拉沃伊

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种执行用于图案化CD控制的反馈序列的方法。该方法包括：在晶片上执行系列工艺步骤以获得多个特征，其中工艺步骤是在工艺条件下执行的。该方法包括：在执行所述系列工艺步骤之后测量所述多个特征的尺寸。该方法包括：确定所述多个特征的所测量的所述尺寸与目标尺寸之间的差异。该方法包括：基于所述差异和将尺寸变化和工艺条件变化相关联的所述多个特征的灵敏度系数来修正工艺步骤的工艺条件。

公开(公告)号：CN115836385A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202280005001.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊莱·钱 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  丹尼尔·博特赖特 ,  阿伦·阿南丹杜莱萨米 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  威廉·劳伦斯·麦克丹尼尔

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开涉及一种用于半导体处理的系统。所述系统包括半导体处理室，所述半导体处理室具有多个处理站、多个歧管干线、多个阀和多个流体歧管。每个歧管干线包括出口、公共流路、多个干线入口、多个孔口和多个阀接口。

公开(公告)号：CN114269969A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080058573.3

申请日：2020-06-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  亚伦·宾汉 ,  阿施施·索拉卜 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  拉维·库马尔

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

Abstract: 一种处理半导体衬底的系统包含：衬底支撑件组件，其被配置成支撑所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含：M个电阻加热器，其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中，其中M为大于1的整数。所述层邻近于所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含：N个温度传感器，其被设置于所述层中的N个位置处，其中N为大于1且小于或等于M的整数。所述系统还包括：控制器，其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。

公开(公告)号：CN113423866A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013308.3

申请日：2020-01-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿德里安·拉沃伊 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  理查德·菲利普斯 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

Abstract: 一种用于利用原子层沉积于衬底上沉积膜的系统包含：基座，其被设置于处理室中，以于所述衬底上沉积所述膜时将所述衬底支撑于所述基座的顶表面上。位于所述基座中的第一环形凹部从所述基座的所述顶表面往下延伸且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。所述第一环形凹部具有大于所述衬底的直径的内径。由介电材料所制成的环形环在所述第一环形凹部中环绕所述衬底而设置。在所述基座中的第二环形凹部位于所述环形环的下方。所述第二环形凹部具有高度且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。

公开(公告)号：CN118382919A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280082416.5

申请日：2022-12-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  巴拉斯·库马尔·施萨拉曼 ,  瑞安·布拉基埃

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  F16K27/02

Abstract: 一种衬底处理系统包括N个阀系统，其分别连接到N个站。每个阀系统包含：歧管块体、多个阀和流量控制设备。歧管块体包含接收处理气体和惰性气体的入口、连接至站的出口、以及被配置在所述歧管块体内并连接至所述入口和所述出口的多个气体流动通道。所述阀被安装至所述歧管块体并控制流过所述出口的所述处理气体和所述惰性气体的流量。所述流量控制设备被安装至所述歧管块体并控制流过所述歧管块体而到达所述N个站中的一站内的所述惰性气体的流量。所述N个阀系统中的每一个的所述流量控制设备被校准以平衡所述N个站中的所述惰性气体的所述流量。

公开(公告)号：CN118098919A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410031549.0

申请日：2020-05-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  布莱恩·威廉姆斯 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  理查德·菲利普斯 ,  杨诺亚 ,  约瑟夫·L·沃马克 ,  李明 ,  钱俊 ,  洪图 ,  斯凯·穆勒诺

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。