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公开(公告)号：CN102859669A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201080066447.9
申请日：2010-11-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0843 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体晶体管，该氮化物半导体晶体管具备：异质结层(124)，其层叠了极化互不相同的多个氮化物半导体层；和栅电极(113)，其形成在异质结层(124)之上。在异质结层与栅电极之间形成有具有p型的导电性、并使空穴电流流过且抑制电子电流的电子电流抑制层(125)。
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公开(公告)号：CN102217153A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145150.9
申请日：2009-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/02636 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2237 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种既不使发光效率降低又能够使发光波长长波长化的氮化物半导体器件，本发明的氮化物半导体器件包括：具有(0001)面和(0001)面以外的面的GaN层(103)；以及含有铟并与GaN层(103)相接的InGaN层(104)，在InGaN层(104)中，与(0001)面以外的面相接的部分的铟的组成比，比与(0001)面相接的部分的铟的组成比高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1581526A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056355.9
申请日：2004-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/08
Abstract: 一种半导体装置，具有形成在蓝宝石基板(101)上的由第1半导体层构成的有源层(活性层)(105)，在有源层(活性层)(105)上，形成由氧化层构成的第1氧化区域。根据本发明的半导体装置，可以提高半导体装置的元件特性。
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公开(公告)号：CN102822951A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065666.5
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/1066 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种晶体管，其具有形成于基板(300)上的基底层(301)、和形成于基底层(301)上的由氮化物半导体构成的工作层(302)。基底层(301)是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体。基底层(301)具有含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的含过渡金属层。
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公开(公告)号：CN101926013A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103286.3
申请日：2009-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02433 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2933/0016 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。
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公开(公告)号：CN104254585A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380013649.0
申请日：2013-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 泷泽俊幸
CPC classification number: F21K9/56 , C09K11/0883 , C09K11/77 , C09K11/7734 , C09K11/7739 , F21K9/64 , G02B26/008 , G03B21/204 , G03B33/08 , H01L33/502 , H01S5/005 , H04N9/3111
Abstract: 本申请涉及的荧光体是在相对于以硼、氮以及氧为主成分的主材料中添加有稀土元素而得到的荧光体，其组成式以B(l)O(m)N(n)：Z表示。其中，B表示硼，O表示氧，N表示氮，Z表示稀土元素。其中，l、m、n表示元素量。
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公开(公告)号：CN101926013B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200980103286.3
申请日：2009-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02433 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2933/0016 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。
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