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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102723366A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210249289.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN101601138A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880002383.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a－13d)。在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
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公开(公告)号：CN101542743B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880000598.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN101601138B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880002383.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a-13d)。在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
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公开(公告)号：CN101542743A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000598.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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