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公开(公告)号：CN1918484A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004556.7
申请日：2005-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01T1/29 , G01R33/035 , G21K5/00 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC classification number: H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供了束测量装置，用于高精度地、非破坏性地测量束电流值，并用于测量束位置。该束测量装置有：磁屏蔽部件，用于外部磁场屏蔽；以及多个磁场传感器，被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构，用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构，其表面由超导体构成，并且，在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束测量装置有多个磁场传感器，以便检测束位置和束电流。
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公开(公告)号：CN1965391A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018450.2
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
Abstract: 提供了一种具有均匀特征的并且能够以高成品率制造的半导体器件。为了消除由干法蚀刻引起的衬底表面内的差异，调整由作为后处理的掺杂和退火步骤引起的差异，最后提供在衬底表面内实现极佳均匀性的步骤。
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公开(公告)号：CN1751383A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004146.8
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/6708
Abstract: 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置，该方法中，在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻；该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN102723366A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210249289.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100370588C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480004146.8
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/6708
Abstract: 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置，该方法中，在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻；该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN101542743B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880000598.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN101542743A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000598.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN100495073C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580004556.7
申请日：2005-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01T1/29 , G01R33/035 , G21K5/00 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC classification number: H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供了束流测量装置，用于高精度地、非破坏性地测量束电流值，并用于测量束流位置。该束流测量装置有：磁屏蔽部件，用于外部磁场屏蔽；以及多个磁场传感器，被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构，用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构，其表面由超导体构成，并且，在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束流测量装置有多个磁场传感器，以便检测束流位置和束电流。
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公开(公告)号：CN1806314A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016193.4
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种在向基板导入杂质中能够进行高精度控制的杂质导入方法及杂质导入装置。在保持台(4)上载置被处理基板(5)并且由旋转驱动轴(13)旋转。在使真空泵(6)动作之后，停止利用真空泵(6)的排气，将计量腔室(7)内的一定量的等离子体发生用的物质(气体物质)通过喷嘴(14)导入到真空腔室(1)内。喷嘴(14)上具有多个微细喷嘴(19)，根据等离子体的激励强度，通过该微细喷嘴(19)在真空腔室(1)内产生空间上不均匀的气体流(15)。并且，由电源(3)驱动等离子体发生部(2)，对不均匀地导入到真空腔室(1)内的气体物质进行等离子体激励，在规定的时间内使被处理基板(5)暴露于等离子体中。
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