公开(公告)号：CN1979691A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164099.4

申请日：2006-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪 ,  赤松宽范 ,  井东数雄 ,  山上由展

IPC: G11C29/50 ,  G11C29/12

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C11/41 ,  G11C29/12005 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/1204

Abstract: 半导体存储器件包括：存储单元，具有其中提供给包括在锁存器部分中的负载晶体管108和111的源极的电位不同于提供给字线105的电位和提供给位线106和107的电位中的至少一个的电路结构；锁存器电位控制电路101用于根据施加到测试模式设定管脚102上的信号，对正常操作模式和测试模式进行相互切换；以及读出/写入控制电路103，用于在测试模式中的至少读出操作的任意时期，将提供给负载晶体管108和111的源极的电位控制为比提供给字线105的电位和提供给位线106和107的电位中的至少一个低。