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公开(公告)号：CN1321261A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801858.8
申请日：2000-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1345
Abstract: 有源矩阵基板212是在玻璃基板210上形成了具备由薄膜晶体管构成的矩阵阵列的液晶显示部221和驱动液晶显示部的驱动电路224～226的驱动电路一体型基板。成为在玻璃基板210的周边部上形成凹槽260～263、在该凹槽260～263中埋入了对驱动电路225、226供给电源的电源线251～254的结构。利用这样的结构,通过降低以驱动电路的电源线或数据布线为代表的总线布线部分的电阻值而不使周边部分的面积增加,可实现能将电源电压的下降量抑制得较小、能使驱动电路可靠地工作的驱动电路一体型有源矩阵基板。
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公开(公告)号：CN1307730A
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN99808118.3
申请日：1999-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/20 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02675 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2022 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 本发明方法可防止因激光退火形成的多晶硅薄膜的表面凹凸,特别防止因凹凸发生的混入物偏析而导致的晶体管元件的性能降低、质量偏差等。该方法包括,(1)化学、机械地磨消激光退火后的多晶硅薄膜的表面部的突起和混入物的偏析部分;(2)通过热处理进行晶体生长,并且一边除去表面的混入物,一边平化表面。
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公开(公告)号：CN1236981A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99107059.3
申请日：1999-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78684
Abstract: 本发明的目的是下述(1)、(2)两项:(1)在近些年来的大型且像素密度高的大型液晶显示屏等中使用的小的薄膜晶体管的源极和漏极电极用的接触孔形成中,防止因刻蚀不足所引起的绝缘膜刻蚀不尽,或因过刻蚀所引起的半导体层的消失这一现象的发生。(2)使源极电极、漏极电极与半导体层之间进行确实的电接触。为此,(1)通过把接触孔部分的硅膜作成为2层构造等预先形成得厚。(2)在电极金属和半导体之间设置硅化物层。
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公开(公告)号：CN101253825A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032090.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/16 , H01L23/66 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H03H7/0115 , H03H7/175 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K3/4614 , H05K2201/0317 , H05K2201/086 , H05K2201/09763 , H05K2203/1189 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括下述构成：具备：在至少一方的主面形成有第1薄膜电子部件(2、3)，在该主面或另一方的面上形成有与外部电路连接用的外部连接端子的第1片状基板(1)；在至少一方的主面形成有第2薄膜电子部件(6)的第2片状基板(5)；使第1薄膜电子部件(2、3)和第2薄膜电子部件(6)相向，粘接固定第1片状基板(1)和第2片状基板(5)的绝缘性粘接树脂层(9)；以及将第1薄膜电子部件(2、3)和第2薄膜电子部件(6)的预先设定的电极端子之间电连接的层间连接导体(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1186683C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN00801858.8
申请日：2000-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1345
Abstract: 有源矩阵基板(212)是在玻璃基板(210)上形成了具备由薄膜晶体管构成的矩阵阵列的液晶显示部(221)和驱动液晶显示部的驱动电路(224～226)的驱动电路一体型基板。成为在玻璃基板(210)的周边部上形成凹槽(260～263)、在该凹槽(260～263)中埋入了对驱动电路(225)、(226)供给电源的电源线(251～254)的结构。利用这样的结构，通过降低以驱动电路的电源线或数据布线为代表的总线布线部分的电阻值而不使周边部分的面积增加，可实现能将电源电压的下降量抑制得较小、能使驱动电路可靠地工作的驱动电路一体型有源矩阵基板。
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公开(公告)号：CN1157806C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN96111969.1
申请日：1996-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/047
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/02929 , H03H9/14538
Abstract: 本发明的目的是提供一种应用了可承受大的外加功率又防止插入损耗增加的叉指式换能器电极的SAW器件。其构成是具有压电体基板和设于该压电体基板的表面上边的叉指式换能器电极，上述叉指式换能器电极被构成为使铝膜和由其弹性系数比铝膜大的导电体材料构成的膜交互地进行叠层，且由上述导电体材料构成的膜及上述铝膜的叠层数目各为2层以上，上述铝膜的各层的厚度小于150nm，而且，由上述导电体材料构成的膜的各层的厚度比上述铝膜的厚度薄，上述导电体材料由钛、铜、钯、铬、钼、钨、钽、铌、锆、铪、钒、镍和银中选择的一种材料构成，上述叉指式换能器电极的最表面层是上述铝膜，而且其膜厚小于50nm。
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公开(公告)号：CN1311873A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN99809107.3
申请日：1999-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1334 , G02F1/133707
Abstract: 一种具有高辉度和高对比度,且显示品质优良的反射式或透过式的高分子聚合物分散式液晶显示器件,具有使液晶滴(112)分散到高分子聚合物(111)中的高分子聚合物分散式液晶层(104)和反射象素电极(105),在设高分子聚合物分散式液晶层(104)的厚度为d(微米),散射增益为SG的情况下,散射增益满足不等式50exp(－0.4d)
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公开(公告)号：CN1296643A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00800291.6
申请日：2000-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78624 , H01L29/78627
Abstract: 特别是提供液晶显示装置用的性能优良的LDD型TFT。为此,利用化学反应、电镀等使顶部栅极型的LDD－TFT的栅极电极变成为2个台阶构造,此外,使上部或下部变成为对于别的部分,在源极电极一侧、漏极电极一侧稍微突出出来的形状。然后,在该构造、形状的基础上,以电极为掩模注入杂质。在杂质注入之前,或者除去栅极绝缘膜,或者为防止稀释用氢的侵入形成Ti膜。在底部栅极一侧LDD－TFT中,制造方法也大体上相同。
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公开(公告)号：CN1149205A
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN96111969.1
申请日：1996-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/00
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/02929 , H03H9/14538
Abstract: 本发明的目的是提供一种应用了可承受大的外加功率又防止插入损耗增加的叉指式换能器电极的SAW器件。其构成是具有在压电体基板1的表面上交互地叠层铝膜31-45和由其弹性系数比该铝膜大的导电性材料构成的膜51-60而形成的叉指式换能器电极2。
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