公开(公告)号：CN1893074A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100502.7

申请日：2006-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 当房哲朗 ,  冈本奈奈 ,  矢野纯一

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/11807 ,  G06F17/5072 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第1晶体管，由沿第1方向延伸的第1栅极和第1扩散区域形成；第2晶体管，由沿上述第1方向延伸的第2栅极和第2扩散区域形成，在与上述第1方向正交的第2方向上与上述第1晶体管相邻；以及沿上述第1方向延伸的第3栅极，在与上述第2晶体管相反的一侧，在上述第2方向上与上述第1晶体管相邻。上述第1栅极和上述第2栅极之间的间隔，比上述第1栅极和上述第3栅极之间的间隔大。

公开(公告)号：CN100521204C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610100502.7

申请日：2006-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 当房哲朗 ,  冈本奈奈 ,  矢野纯一

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/11807 ,  G06F17/5072 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第1晶体管，由沿第1方向延伸的第1栅极和第1扩散区域形成；第2晶体管，由沿上述第1方向延伸的第2栅极和第2扩散区域形成，在与上述第1方向正交的第2方向上与上述第1晶体管相邻；以及沿上述第1方向延伸的第3栅极，在与上述第2晶体管相反的一侧，在上述第2方向上与上述第1晶体管相邻。上述第1栅极和上述第2栅极之间的间隔，比上述第1栅极和上述第3栅极之间的间隔大。

公开(公告)号：CN101393911A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810149908.3

申请日：2006-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 当房哲朗 ,  冈本奈奈 ,  矢野纯一

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/11807 ,  G06F17/5072 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第一晶体管，由沿第一方向延伸的第一栅极和第一扩散区域形成；第二晶体管，由沿第一方向延伸的第二栅极和第二扩散区域形成，在与第一方向正交的第二方向上与第一晶体管邻近；以及沿第一方向延伸的第三栅极，在与第二晶体管相反的一侧，在第二方向上与第一晶体管相邻，第一栅极和第二栅极之间的间隔，比第一栅极和第三栅极之间的间隔大，在第一晶体管与第二晶体管之间具有非激活的第四晶体管，该第四晶体管具有沿上述第一方向延伸的第四栅极。

公开(公告)号：CN1309084C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410036906.5

申请日：2004-04-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平田昭夫 ,  森胁俊幸 ,  当房哲朗 ,  冈本奈奈 ,  林光昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/12

CPC classification number: G11C17/12

Abstract: 本发明提供抑制流过存储单元的驱动电流的下降，可以进行高速动作的掩模ROM。利用具有虚设栅电极(105)的虚设MOSFET，分离沿位线(102)延伸的方向邻接的存储单元内的NchMOSFET。这样，由于能够降低由STI施加给NchMOSFET沟道区域的应力，所以能抑制NchMOSFET的驱动电流的减少。

公开(公告)号：CN101393911B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200810149908.3

申请日：2006-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 当房哲朗 ,  冈本奈奈 ,  矢野纯一

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/11807 ,  G06F17/5072 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第一晶体管，由沿第一方向延伸的第一栅极和第一扩散区域形成；第二晶体管，由沿第一方向延伸的第二栅极和第二扩散区域形成，在与第一方向正交的第二方向上与第一晶体管邻近；以及沿第一方向延伸的第三栅极，在与第二晶体管相反的一侧，在第二方向上与第一晶体管相邻，第一栅极和第二栅极之间的间隔，比第一栅极和第三栅极之间的间隔大，在第一晶体管与第二晶体管之间具有非激活的第四晶体管，该第四晶体管具有沿上述第一方向延伸的第四栅极。

公开(公告)号：CN1540760A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410036906.5

申请日：2004-04-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平田昭夫 ,  森胁俊幸 ,  当房哲朗 ,  冈本奈奈 ,  林光昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/12

CPC classification number: G11C17/12

Abstract: 本发明提供抑制流过存储单元的驱动电流的下降，可以进行高速动作的屏蔽ROM。利用具有虚设栅电极(105)的虚设MOSFET，分离沿比特线(102)延伸的方向邻接的存储单元内的NchMOSFET。这样，由于能够降低由STI施加给NchMOSFET沟道区域的应力，所以能抑制NchMOSFET的驱动电流的减少。