公开(公告)号：CN1131340A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95119449.6

申请日：1995-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前川茂树 ,  古田守 ,  筒博司 ,  川村哲也 ,  宫田丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  C30B28/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  Y10S117/904 ,  Y10S148/09

Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。

公开(公告)号：CN1110006A

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：CN95100146.9

申请日：1995-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 近藤昌树 ,  前川茂树

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  G02B26/00 ,  G02F1/00

CPC classification number: B23K26/0648 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064

Abstract: 一种激光照射装置，它备有：激光源1，用来搅乱由激光源1发出的激光1a的相位的滤光片14及/或光纤16，和将激光1a分解成小面积的光束后叠加形成预定形状的光束的光束形成手段13，这样，激光1a由于被搅乱了相位，即使叠加也不会产生干涉条纹。从而能获得能量强度分布均匀的激光照射。

公开(公告)号：CN1050221C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN95119449.6

申请日：1995-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前川茂树 ,  古田守 ,  筒博司 ,  川村哲也 ,  宫田丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  C30B28/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  Y10S117/904 ,  Y10S148/09

Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。