公开(公告)号：CN1131340A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95119449.6

申请日：1995-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前川茂树 ,  古田守 ,  筒博司 ,  川村哲也 ,  宫田丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  C30B28/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  Y10S117/904 ,  Y10S148/09

Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。

公开(公告)号：CN1050221C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN95119449.6

申请日：1995-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前川茂树 ,  古田守 ,  筒博司 ,  川村哲也 ,  宫田丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  C30B28/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  Y10S117/904 ,  Y10S148/09

Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。