公开(公告)号：CN1715152A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510076482.X

申请日：2005-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横井宏和 ,  青木则茂 ,  宫田毅 ,  小仓毅勇

IPC: B65G1/00

CPC classification number: H01L21/67769 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67772

Abstract: 一种半导体基板保存库、保存方法及用它的半导体基板的制造方法，是在不使收纳容器的构造复杂的情况下在清洁的环境下保存半导体基板实现简便低成本高信赖性的保存库、保管方法及用它的半导体装置的制造方法。保存库(104)，包括空洞部(107)和通道部(120)。将通道部(120)的通道部门(106)与收纳容器(101)的盖体(102)的面相对紧密连接后，通过将盖体(102)从收纳容器(101)揭下，可以不使外界气体进入收纳容器(101)使空洞部(107)与收纳容器(101)连通。

公开(公告)号：CN1638058A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410102200.4

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫田毅 ,  三由裕一 ,  波冈义哲

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  B08B3/08 ,  C11D7/00 ,  C11D7/08

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片的清洗方法，能够除去半导体晶片上的金属杂质。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：用碱性药液除去半导体晶片上异物的清洗工序；用弱酸性清洗液中和半导体晶片的表面电荷的清洗工序；以及用酸性药液除去残留在半导体晶片上的金属杂质的清洗工序。由于半导体晶片表面被中和，在不带电荷的状态下进行HPM处理，因此金属杂质不会附着，能够使得半导体晶片的表面获得极高洁净度。

公开(公告)号：CN1591790A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056057.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英树 ,  宫田毅 ,  松本宗之 ,  河野宽

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过CMP工序在半导体衬底1上形成铜布线6之际所产生的残留物及布线间桥梁9而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线6主体的情况下，除去残留异物及布线间桥梁9。结果是，进行完化学机械研磨之后，不会在铜布线的表面产生凹状缺陷，确实能除去由铜形成的布线间桥梁等污染物，制造出无短路、无断线的半导体器件。

公开(公告)号：CN1712831A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510076480.0

申请日：2005-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 波冈义哲 ,  青木则茂 ,  宫田毅

IPC: F24F7/06

CPC classification number: H01L21/67733 ,  F24F3/161 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种清洁室、局部清洁系统、其使用方法及清洁室安全系统，实现简便地短时间地能够构筑在清洁室内区域具有必要的清洁度的局部清洁化区域。本发明的局部清洁化系统，包括在清洁室内天花板下配置了格子状运送用轨道和沿着运送用轨道运送可能的自走式风扇过滤单元。通过将自走式风扇过滤单元，使用运送用轨道在清洁室内所规定的区域移动，可在清洁室内所规定区域形成与除该所规定区域以外的区域清洁度高的局部清洁化区域。