公开(公告)号：CN1638214A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104664.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  久米雅博 ,  河田敏也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/2231 ,  H01S2301/14

Abstract: 提供一种半导体激光装置，由下至上依次层叠有n型半导体基板、n型金属包层、活性层、p型第1金属包层、电流块层、p型第2金属包层以及p型接触层。在p型接触层上形成p侧欧姆电极，在n型半导体基板的背面上形成n侧欧姆电极。在电流块层上形成在光谐振器方向延伸的条纹、在p型接触层的光谐振器方向的中央部，形成与条纹正交的狭缝。这样，能够防止在安装工序中半导体激光装置内部的变形所引起的动作寿命下降和激光特性恶化，提供可靠性。

公开(公告)号：CN1604412A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410087416.8

申请日：2004-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  上田哲生 ,  木户口勋 ,  河田敏也

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。

公开(公告)号：CN1319228C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200410087416.8

申请日：2004-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  上田哲生 ,  木户口勋 ,  河田敏也

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01L21/02

Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。

公开(公告)号：CN1677777A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200410102402.9

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲生 ,  粂雅博 ,  河田敏也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器1，电流阻挡层19在发光端和发光端的相对一端覆盖在光学谐振器的纵向上延伸的p－型第二覆层17和p－型覆盖层18，在光波导中形成无电流注入区。发光端上的电流阻挡层19被制作得足够大，使得从电流注入区流入的载流子不会到达发光端面，分布在发光端面的近场内的光强度被高度集中，能够扩大发出的激光束的水平发散角度。这种结构有可能优化覆层厚度和电流注入区尺寸之后，独立地扩大水平发散角度。