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公开(公告)号：CN1484392A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03142935.1
申请日：2003-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 峰本尚
CPC classification number: G02F1/093 , G02F1/0036 , G02F1/092 , G02F2201/122
Abstract: 本发明的具有光隔离器的集成磁光调制器包括：光隔离器单元、磁光调制器单元、阻抗调节器。光隔离器单元旋转来自光源的入射光的偏振，传输具有已旋转的偏振的光并消除向着光源的反射的反馈光。磁光调制器单元调制来自光隔离器单元的光的强度，并将已调光传输出去。阻抗调节器调节磁光调制器单元的电阻抗，以便有效地将用来光调制的高频信号引入磁光调制器单元。进一步，光隔离器单元和磁光调制器单元容纳在一单个壳体中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100423297C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410002946.8
申请日：2004-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/223 , H01S5/343
CPC classification number: C30B25/02 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN100336321C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03142935.1
申请日：2003-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 峰本尚
CPC classification number: G02F1/093 , G02F1/0036 , G02F1/092 , G02F2201/122
Abstract: 本发明的具有光隔离器的集成磁光调制器包括：光隔离器单元、磁光调制器单元、阻抗调节器。光隔离器单元旋转来自光源的入射光的偏振，传输具有已旋转的偏振的光并消除向着光源的反射的反馈光。磁光调制器单元调制来自光隔离器单元的光的强度，并将已调光传输出去。阻抗调节器调节磁光调制器单元的电阻抗，以便有效地将用来光调制的高频信号引入磁光调制器单元。进一步，光隔离器单元和磁光调制器单元容纳在一单个壳体中。
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公开(公告)号：CN1297082C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN03108537.7
申请日：2003-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 峰本尚
Abstract: 磁光调制器旋转入射到磁光设备的光的偏振，在下面的磁场配置中，这会产生Faraday效应，所述磁场配置为RF磁场具有一个分量垂直于光传播方向，且RF磁场方向与偏置磁场方向的夹角大于30°。偏置磁场发生器可以是永久磁铁，而RF磁场发生器可以是沿着用于入射光的波导行进的带线。该带线被供给一个RF电流信号。光束被调制在约为10GHz高的频率。通过使用变阻器和磁芯可以进一步改善调制深度。
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公开(公告)号：CN1518138A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002946.8
申请日：2004-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/223 , H01S5/343
CPC classification number: C30B25/02 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN1447536A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108537.7
申请日：2003-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 峰本尚
Abstract: 磁光调制器旋转入射到磁光设备的光的偏振，在下面的磁场配置中，这会产生Faraday效应，所述磁场配置为RF磁场具有一个分量垂直于光传播方向，且RF磁场方向与偏置磁场方向的夹角大于±30°。偏置磁场发生器可以是永久磁铁，而RF磁场发生器可以是沿着用于入射光的波导行进的带线。该带线被供给一个RF电流信号。光束被调制在约为10GHz高的频率。通过使用变阻器和磁芯可以进一步改善调制深度。
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